我用STM8SOO3芯片来控制LED驱动芯片TM1804,TM1804时序是要800KHZ的,就是要高电平400ns,低电平800ns的波形。但是我用芯片内部晶振16M,nop 来延时得到的最小是800ns。
程序如下:
#define LED2_PIN GPIO_PIN_4 //输出设置成GPIOD4
#define LED2_PORT GPIOD
GPIO_Init(LED2_PORT,LED2_PIN,GPIO_MODE_OUT_PP_HIGH_FAST); //定义管脚的模式
GPIO_WriteLow(LED2_PORT,LED2_PIN);//输入低电平
int main(void)
{
/*设置内部高速时钟16M为主时钟*/
CLK_HSIPrescalerConfig(CLK_PRESCALER_HSIDIV1);//配置内部高速振荡器(HSI)分频器
LED_Init();
Send_Init();
while(1)
{
GPIO_WriteLow(LED2_PORT,LED2_PIN);//输入低电平
asm("nop");
GPIO_WriteHigh(LED2_PORT,LED2_PIN);//输入高电平
asm("nop");
GPIO_WriteLow(LED2_PORT,LED2_PIN);//输入低电平
}
}
这样得到的是800ns的高电平,而我想得到400ns或者更小的高电平,要怎么设置。
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找到问题了,是我GPIO口调用了库函数造成的延时,直接用寄存器操作FGPIO就没问题。谢谢。
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