本帖最后由 破风者 于 2018-12-19 10:30 编辑

[mw_shl_code=c,true]//读取NAND Flash的指定页指定列的数据(main区和spare区都可以使用此函数)
//PageNum:要读取的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
//ColNum:要读取的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)
//*pBuffer:指向数据存储区
//NumByteToRead:读取字节数(不能跨页读)
//返回值:0,成功
//    其他,错误代码
u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead)
{
    vu16 i=0;
        u8 res=0;
        u8 eccnum=0;                //需要计算的ECC个数，每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc
        u8 eccstart=0;                //第一个ECC值所属的地址范围
        u8 errsta=0;
        u8 *p;
     *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_A;
    //发送地址
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)ColNum;
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(ColNum>>8);
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)PageNum;
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>8);
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(PageNum>>16);
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_AREA_TRUE1;
    //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平，其实主要起延时作用的，等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过
    //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO，代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备
    //就绪的。这个也就是模拟的方法，所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙
    //闲状态，结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的，事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行
    //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。
        res=NAND_WaitRB(0);                        //等待RB=0
    if(res)return NSTA_TIMEOUT;        //超时退出
    //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
        res=NAND_WaitRB(1);                        //等待RB=1
    if(res)return NSTA_TIMEOUT;        //超时退出
        if(NumByteToRead%NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍，不进行ECC校验
        {
                //读取NAND FLASH中的值
                for(i=0;i<NumByteToRead;i++)
                {
                        *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
                }
        }else
        {
                eccnum=NumByteToRead/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;                        //得到ecc计算次数
                eccstart=ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;
                p=pBuffer;
                for(res=0;res<eccnum;res++)
                {
                        FMC_Bank2_3->PCR3|=1<<6;                                                //使能ECC校验
                        for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++)                                //读取NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据
                        {
                                *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
                        }               
                        while(!(FMC_Bank2_3->SR3&(1<<6)));                                //等待FIFO空        
                        nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart]=FMC_Bank2_3->ECCR3;          读取200-711的硬件 ECC
                        FMC_Bank2_3->PCR3&=~(1<<6);                                                //禁止ECC校验
                }
                i=nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4;                        //从spare区的0X10位置开始读取之前存储的ecc值
                NAND_Delay(NAND_TRHW_DELAY);//等待tRHW
                *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0X05;                                //随机读指令
                //发送地址
                *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)i;
                *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(u8)(i>>8);
                *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0XE0;                                //开始读数据
                NAND_Delay(NAND_TWHR_DELAY);//等待tWHR
                pBuffer=(u8*)&nand_dev.ecc_rdbuf[eccstart];
                for(i=0;i<4*eccnum;i++)                                                                //读取保存的ECC值
                {
                        *(vu8*)pBuffer++= *(vu8*)NAND_ADDRESS;                                                         读取保存的0-511 ECC
                }                        
                for(i=0;i<eccnum;i++)                                                                //检验ECC
                {
                        if(nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart]!=nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart])//不相等,需要校正  
                        {
                                printf("err hd,rd:0x%x,0x%x ",nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart]);
                                 printf("eccnum,eccstart:%d,%d ",eccnum,eccstart);        
                                printf("PageNum,ColNum:%d,%d ",PageNum,ColNum);        
                                res=NAND_ECC_Correction(p+NAND_ECC_SECTOR_SIZE*i,nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart]);//ECC校验
                                if(res)errsta=NSTA_ECC2BITERR;                                //标记2BIT及以上ECC错误
                                else errsta=NSTA_ECC1BITERR;                                //标记1BIT ECC错误
                        }
                }                 
        }
    if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)errsta=NSTA_ERROR;        //失败
    return errsta;        //成功   
} [/mw_shl_code]
比如ColNum为200，NumByteToRead为512，nand_dev.ecc_hdbuf是200-711的硬件 ECC，nand_dev.ecc_rdbuf是保存的0-511 ECC。
是我理解错了还是程序有bug？