编出来app部分代码,地址不偏移，直接烧录，正常运行。先烧录IAP代码，再烧录加入偏移的APP代码，无法运行，会再执行一次iap代码后卡死。
app代码偏移操作如下：
1. 在stm32f4_flash.ld 设定flash开始地址和大小， 给了128k留给IAP代码；
2. main函数中加入SCB->VTOR=FLASH_BASE|0x20000;
iap代码验证过 引导原来mdk编的代码，可以正常运行的。
问一下这个APP代码里还有别的什么地方需要修改的吗？
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