1 底层nand.c文件 NAND_ReadPage和NAND_WritePage 函数中有这么几句话[mw_shl_code=c,true]mw_shl_code=c,true]eccnum=NumByteToRead/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;
eccstart=ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;
p=pBuffer;
for(res=0;res<eccnum;res++)
{
FMC_Bank2_3->PCR3|=1<<6;
for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++)
{
*(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
}       
while(!(FMC_Bank2_3->SR3&(1<<6)));
nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart]=FMC_Bank2_3->ECCR3;
FMC_Bank2_3->PCR3&=~(1<<6);
}
i=nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; [/mw_shl_code]
其中eccstart = ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;是不是有点问题，ColNum难道不需要512字节对其嘛，如果是从一页的任意列地址进行ECC的话那和原来的ECC校验值岂不是对应不上。
2 FTL层ftl.c文件的FTL_CreateLUT函数中有如下判断
[mw_shl_code=c,true]for(i=0;i<nand_dev.block_totalnum;i++)
    {
        if(nand_dev.lut>=nand_dev.block_totalnum)
        {
            nand_dev.valid_blocknum=i;
            break;
        }
    }
    if(nand_dev.valid_blocknum<100)return 2;[/mw_shl_code]
我认为这种判断有BUG。分析如下：当调用FTL_Format后，前93%的好块（假设数量为n）都被标记了逻辑号，并且逻辑号从0连续递增。那么LUT表建立后，前n个元素都赋值为对应的物理块号，第n+1个元素值为0xFFFF，这种判断方法是没有问题的。nand_dev.valid_blocknum = n。但是在FTL_CopyAndWriteToBlock函数中，有如下代码
[mw_shl_code=c,true]if(temp)                                                       
                                {
                                        FTL_BadBlockMark(unusedblock);       
                                        FTL_CreateLUT(1);                               
                                        goto retry;
                                }[/mw_shl_code]
如果unusedblock为坏块则调用FTL_CreateLUT(1);重新建立LUT表，如果unusedblock恰好小于100，则重建LUT表以后，LUT表原来值等于unusedblock的元素就等于0xFFFF了，并且该元素的索引肯定也是小于100的，因为没有进行格式化。因此这种判断的结果就是nand_dev.valid_blocknum<100。如果重新上电的话就会导致nand重新格式化，之前存的数据都丢了。
不知道我的分析是否正确，能否请大神解答一下我以上两点疑问，万分感谢！！！