使用阿波罗F767开发板及W25Q256设计ADC采集存储采样率提高

2019-07-20 03:33发布

    实验目的如标题,想利用STM32自带ADC以及外部FLASH设计一套数据采集存储系统,ADC数据通过DMA回给CPU,然后再存入FLASH中。在F4时期,通过DMA double buf在单片FLASH的情况下,完成了稳定采样率200K的采集存储系统。当得知F7系列已经标配QPI以及感激原子哥多年提供资料造福广大嵌入式开发者的情况下,果断入手了阿波罗开发板。    本想着F7自带强大的QPI及整体时钟频率大幅提高,采样率怎么说翻个4倍应该不成问题,但实际测试时发现,在单片FLASH的情况下,采样率只能稳定的500K,再高可能会出现丢数据的情况。翻阅W25Q256数据手册后发现,在page program指令后,还要有一段时间的芯片自编程时间,导致了芯片有一段时间处于无法响应任何指令的状态,编程时间如图所示。

芯片手册中的page program time 芯片手册中的page program time
    程序中,我设定每个page program指令写入256个数据,手册上说编程时间典型值为0.7ms,但我通过定时器实测不到150us,也就是说150us内FLASH处于贤者模式,这也足够致命了。在F4时期我就知道这个FLASH有此特性,但我想时代进步了,这部分应该会优化,而且如果有这部分时间的存在,QPI以及芯片支持104M时钟都没有意义呀??我觉得不可能是华邦的科研人员蠢,那就肯定是我搞错了我蠢!!!
    所以恳请论坛中的原子哥和各位技术大拿不吝赐教,能否指导下我哪边理解和使用的错误,以及如果有好的方案和新的硬件设备,谢谢大家。
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10条回答
小韩天真
1楼-- · 2019-07-21 04:06
 精彩回答 2  元偷偷看……
小韩天真
2楼-- · 2019-07-21 06:59
 精彩回答 2  元偷偷看……
正点原子
3楼-- · 2019-07-21 12:30
小韩天真 发表于 2019-2-28 11:40
谢谢您的回复,我觉得要是有这种冷却时间,QPI的意义就不大了,我实测传输数据时间只20us,可内部编程却 ...

你可以买那种高逼格的8位并口,hyper flash,那个编程会快很多
小韩天真
4楼-- · 2019-07-21 15:01
正点原子 发表于 2019-3-1 02:20
你可以买那种高逼格的8位并口,hyper flash,那个编程会快很多

之前有了解过,管采购的师兄说这一类芯片中国被制裁的厉害,怕是买不到,做方案时候也没有考虑

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