本帖最后由 GuDuDeRen 于 2018-2-1 17:25 编辑
1：特性以及使用 Flash用来做程序和一些掉电保护和不需修改的数据,FLASH写入时间长 FLASH擦写次数少(10000次)。 EEPROM用来保存掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的少量参数，EEPROM写入时间短，其擦除次数较Flash多(1000000次)。2: 存储单元的结构， FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器， EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多。 所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器。3：二者寻址方法(最大区别) FLASH的全称是FLASH EEPROM FLASH按扇区操作 必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)，它是一种非易失性的内存,属于 EEPROM的改进产品。 EEPROM则按字节操作， EEPROM可以一次只擦除一个字节(Byte)。4：补充 相同点：两者都能掉电存储数据
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有的芯片不带有EEPROM 只有FLASH 因此程序代码 都存放在 FLASH的主存储器中
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