本帖最后由 GuDuDeRen 于 2018-2-1 17:25 编辑
1：特性以及使用 Flash用来做程序和一些掉电保护和不需修改的数据,FLASH写入时间长 FLASH擦写次数少(10000次)。 EEPROM用来保存掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的少量参数，EEPROM写入时间短，其擦除次数较Flash多(1000000次)。2: 存储单元的结构， FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器， EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多。 所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器。3：二者寻址方法(最大区别) FLASH的全称是FLASH EEPROM FLASH按扇区操作 必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)，它是一种非易失性的内存,属于 EEPROM的改进产品。 EEPROM则按字节操作， EEPROM可以一次只擦除一个字节(Byte)。4：补充 相同点：两者都能掉电存储数据
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如果想用一个变量保存掉电前的变量数据然后在上电后继续使用是不是不能用FLASH模拟EEPROM?（比如一个控制灯光亮度的变量Light，使其在掉电上电后直接达到掉电前的亮度）
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