用的F479，主频 180M，QSPI使用3分频，即60M，使用的Flash在DDR模式下支持到 80M，我看到F479的文档里有一句话，不明白什么意思，如图划红线的部分：
我理解大概是说当分频是奇数的时候，占空比不是50%，低电平时间比高电平时间长。但是到底长多少呢？高电平最短能到多少呢？手册里也没有具体的说明。
我用的Flash最高支持到80M，高电平最短可以到周期的45%，即5.625ns，现在就是不知道我3分频后，高电平时间能不能匹配Flash的最短时间5.625ns...

下面是Flash的指标（蓝框内容）：