最近，一直在使用f407的最小系统版做大数据量处理，需要使用到外部ram，看了正点原子的外部sram以及内存管理方法，根据与f103的对比找到了一种方法
利用f407 systeminitl.c 内的函数调用1M的IS62WV51216。
发现：systeminitl.c自带的  SystemInit_ExtMemCtl(); 有问题，与正点原子的接线并不匹配。
下面我就对比说一下这个程序改法。
1、使用的硬件连接方式是正点原子的接线方式，从图中我们可以看出IS62WV51216的CE接在NE3就是PG10就是第三区地址为0x6800.。。

2、systeminitl.c程序
首先需要打开#define DATA_IN_ExtSRAM，使得初始化可以进入外存初始化配置

3、下面我对比着说一下自带的和我改的void SystemInit_ExtMemCtl(void)（重点）
（1）官方配置的：
官方配置是PG9的NE2二区地址为0x6400.。。。。且FSMC的寄存器配置也不一样，说明官方函数并不是为正点原子的外部ram IS62WV51216而设计的配置
（2）我配置的：
绝大多数用户使用的是正点原子配置我就按照正点原子的修改程序：
更改PG9的NE3三区地址为0x6800.。。。这样就需要把GPIO_G口重新配置一边

下面更改三个寄存器，三区对应的是【4】【5】，然后特别注意BTCR这个寄存器，我是用的902，9和2是控制hclk的周期数，这里我没有理解为什么，这个数是我试出来的，保证数据能够完整读写。

疑惑需要讨论：
我的处理数据长度是32k长度的float型，最疑惑寄存器BTCR的设置，RD高电平与低电平时间（就是hclk周期数也就是BTCR寄存器的ADDSET[3:0]：地址建立时间 与 DATAST[7:0]：数据保持时间。）应该如何确定，我觉得这个和时序与hclk有关请高手说一下。