老弟的汉语实在无法恭维。

看了几遍，大致上弄明白了楼主要什么。
1、“顺便问一下如果i很大的话，单片机能存储下来吗”？绝对没有问题。一个字节放不下用两个字节，两个放不下用四个。
2、“单片机上无显示器，可以寄存器放置吗”？本来就是放在寄存器里面，即使有显示，也是显示寄存器里面的值。

楼主啥都不懂就能有这样的思路值得嘉奖啊。
首先检测下降沿可以用中断，比自己检测要及时一些，也比较方便，当然如果时间要求不是很严的话自己写代码用IO口监测也是可以的。
另外的问题楼上已经说了，一个自己不够用两个字节，两个不够用4个，总有够用的时候。存数也是本来就是要存到到内存中的（不能叫寄存器了），当然存放到寄存器中也是可以的。

看得有些迷糊，不过感觉应该不是很复杂，你首先理清思路吧，只有思路清楚了，做起来才会容易下手

#include <reg51.h>


sbit P0_0=P0^0;
sbit P1_3=P1^3;        //假设从P1.3输出脉冲
unsigned int ijishu;    //每产生一个脉冲计数一次
unsigned int iCount;      //延时间隔时间变量
unsigned int iPulseCount;      //脉冲脉宽时间变量

void timer0() interrupt 1
{//定时器每1毫秒一次中断
  TH0=(65536-1000)/256;  //设1ms中断1次TH1初值
  TL0=(65536-1000)%256; //设1ms中断1次TL1初值

if(iCount)
    {//计数未到0，计数器-1
        iCount--;
    }
if(iPulseCount)
    {//计数未到0，计数器-1
        iPulseCount--;
    }
   
}


main()
{

    TMOD = 0X01;//方式1
    EA = 1;//总中断允许
    ET0 = 1;//定时器0中断允许
    TR0 = 1;//启动定时器0
   
   P1_3 = 0;    //脉冲输出端口，假设输出正脉冲，预置为低电平
           while(P0_0)                   //当P0^0口高电平时计数开始
    {
        iCount = 1000;//每间隔1000*1ms = 1秒一个脉冲,t值变化改此处
        while(iCount);//等待2秒中
        P1_3 = 1;    //置为高电平，输出正脉冲
        iPulseCount = 10;//每间隔10*10ms = 100ms一个脉冲,脉宽变化改此处
        while(iPulseCount);//高电平保持100ms
        P1_3 = 0;    //置为低电平，输出正脉冲结束
           ijishu=ijishu+1;
     }
}