能，把底层驱动改好，其实就是数据的读写，如果数据读写正常的话应用层的代码基本都是一样的

本帖最后由 hpdell 于 2016-11-16 16:54 编辑

zuozhongkai 发表于 2016-11-16 10:19
能，把底层驱动改好，其实就是数据的读写，如果数据读写正常的话应用层的代码基本都是一样的

目前貌似改乱了啊，不改之前，还可以显示出好坏块，改成16位后，识别的都是错误的块，

u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead)
{
  u16 i=0;
  u8 res=0;
  u8 eccnum=0;
目前貌似改乱了啊，不改之前，还可以显示出好坏块，改成16位后，识别的都是错误的块，

u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead)
{
  u16 i=0;
  u8 res=0;
  u8 eccnum=0;                //需要计算的ECC个数，每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc
  u8 eccstart=0;                //第一个ECC值所属的地址范围
  u8 errsta=0;
  u8 *p;

  *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD) = NAND_AREA_A;

  //发送地址
  *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)ColNum;
  *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(ColNum>>8);
  *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)PageNum;
  *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(PageNum>>8);
  *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(PageNum>>16);
  *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)  = NAND_AREA_TRUE1;
  //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平，其实主要起延时作用的，等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过
  //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO，代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备
  //就绪的。这个也就是模拟的方法，所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙
  //闲状态，结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的，事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行
  //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。
  res = NAND_WaitRB(0);                        //等待RB=0
  if(res)
  {
    #if  NAND_FLASH_DEBUG_SWITCH > 0U

    printf("NAND Wait 0 Error ?? ");   
    #endif
    return NSTA_TIMEOUT;        //超时退出
  }

  //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
  res = NAND_WaitRB(1);                        //等待RB=1
  if(res)
  {
    #if  NAND_FLASH_DEBUG_SWITCH > 0U

    printf("NAND Wait 1 Error ?? ");   
    #endif  

    return NSTA_TIMEOUT;        //超时退出
  }

  if(NumByteToRead % NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍，不进行ECC校验
  {
    //读取NAND FLASH中的值
    for(i=0;i<NumByteToRead;i++)
    {
      *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;    //  我吧这个 vu8 改成 vu16, u8 *pBuffer 这个定义的也改成了u16类型，其他没有改动，另外就是我需要读取的数据量 / 2 ，
                                                                       // 结果就不对了，也不知道是不是我的硬件
                                                                       // 上有两个 引脚没有接电源，根据资料要求，16位的39脚接 vcc，48脚接gnd，搞硬件时忘记了接，芯片型号
                                                                       // MT29F4G16ABAEAWP     TSOP48 封装的
    }
  }
  else
  {
    eccnum    = NumByteToRead / NAND_ECC_SECTOR_SIZE;                        //得到ecc计算次数
    eccstart  = ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;
    p         = pBuffer;
    for(res=0;res<eccnum;res++)
    {
      FMC_Bank3->PCR |= 1<<6;                                                //使能ECC校验
      for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++)                                //读取NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据
      {
        *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
      }               
      while(!(FMC_Bank3->SR&(1<<6)));                                //等待FIFO空        
      nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart] = FMC_Bank3->ECCR;//读取硬件计算后的ECC值
      FMC_Bank3->PCR &= ~(1<<6);                                                //禁止ECC校验
    }
    i = nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4;                        //从spare区的0X10位置开始读取之前存储的ecc值

    NAND_Delay(30);//等待tADL
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)  = 0X05;                                //随机读指令
    //发送地址
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)i;
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(i>>8);
    *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)  = 0XE0;                                //开始读数据

    NAND_Delay(30);//等待tADL
    pBuffer  = (u8*)&nand_dev.ecc_rdbuf[eccstart];
    for(i=0; i < (4 * eccnum); i++)                                                                //读取保存的ECC值
    {
      *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
    }                        
    for(i=0;i<eccnum;i++)                                                                //检验ECC
    {
      if(nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart] != nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart] )//不相等,需要校正
      {
        printf("err hd,rd:0x%x,0x%x ",nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart]);
        printf("eccnum,eccstart:%d,%d ",eccnum,eccstart);        
        printf("PageNum,ColNum:%d,%d ",PageNum,ColNum);        
        res = NAND_ECC_Correction(p+NAND_ECC_SECTOR_SIZE*i,nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart]);//ECC校验
        if(res)
          errsta = NSTA_ECC2BITERR;                                //标记2BIT及以上ECC错误
        else
          errsta =  NSTA_ECC1BITERR;                                //标记1BIT ECC错误
      }
    }                 
  }
  if(NAND_WaitForReady(0x2FFFFFF) != NSTA_READY)
    errsta = NSTA_ERROR;        //失败

  return errsta;        //成功   
}

正点原子 发表于 2016-11-17 21:36
你底层驱动正常了没有？
不带坏款管理，标准的读写函数。，

我现在是吧 16bit的 nand flash 当成8位的来使用了，作为 8bit使用时貌似也没有什么问题，

如果作为16bit使用，在资料介绍里面没有找到如何开启16bit模式，貌似资料介绍的都是8bit读写的，还有 我配置数据宽度为16bit或者8bit都没有任何影响，也就是他都是按照8bit来进行读写的，

另外这个芯片 根据资料介绍 p39, p40, p34这三个引脚，如果是16bit的话，需要接电源，但是硬件只接了p34脚这一个已经到vcc上， p39(VCC), p40(GND)这两个引脚没有接，不知道是不是与这两个引脚
有关，他的引脚又那么密不好单独引线出来，所以现在就按照 8bit的操作拉倒了

，以后还是得搞8bit的好了