stmflash.c代码有BUG

2019-07-20 18:57发布

最近都在学习STM32F429I－DISCOVERY的开发板，发现看惯了原子的代码，还不是很适应官方的DOME，官方的调用太多层层，如果想很快调用官方函数去实现自己的想法，比如显示一段文字，不是很容易，而且又是英文注释，所以就有了把原子哥的代码移植到F429I－DIS上去使用，移植过程也蛮辛苦的，主要是替换原来的驱动函数，上层的函数都没有做改动，目前已经实现了显示、触摸、按键、LED。其他触摸的参数保存于地址为0x8100000上，也是在调试触摸功能的保存参数上才发现stmflash.c的BUG：数据无法写入12扇区及以上扇区。
  发现问题后我便使用STVLINK调试代码，发现错误为写保护错误，如果将地址改为0x800C000,则完全正常。
  地址为：0x800C000时，STMFLASH_EraseSector函数的FLASH->CR|=sectoraddr<<3;代码时，FLASH_CR的LOCK位清0.
  地址为：0x8100000时，STMFLASH_EraseSector函数的FLASH->CR|=sectoraddr<<3;代码时，FLASH_CR的LOCK位仍为1.

  所以执行擦除时，返回写保护错误码，WRPERR为1.

  因此可以得出结论：如果使用stmflash.c时，FLASH空间在1M以下，是完全没有问题，如果大于1M就会有问题。在结合官方擦除代码和参考手册，发现以下描述：

  官方代码：
      /* Need to add offset of 4 when sector higher than FLASH_SECTOR_11 */
  if(Sector > FLASH_SECTOR_11)
  {
Sector += 4;
  }

  参考手册：用于 STM32F42xxx 和 STM32F43xxx的
Flash 控制寄存器 (FLASH_CR)位 7:3 SNB：扇区编号 (Sector number)
这些位用于选择要擦除的扇区。
0000：扇区 0
0001：扇区 1
...
01011：扇区 11
01100：不允许
01101：不允许
01110：不允许
01111：不允许
10000：扇区 12
10001：扇区 13
...
11011 扇区 23
11100：不允许
11101：不允许
11110：不允许
11111：不允许

看到这里也就明白了，F42和F41、F40的寄存器是不一样的，故解决方法有两个：

方法一：修改STMFLASH_EraseSector函数，
         if(sectoraddr > 11)       //
            sectoraddr += 4;
         FLASH->CR|=sectoraddr<<3;

方法二：修改STMFLASH_GetFlashSector
   else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_13)return 16; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_14)return 17;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_15)return 18;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_16)return 19;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_17)return 20;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_18)return 21;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_19)return 22;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_20)return 23;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_21)return 24;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_22)return 25;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_23)return 26;
return 27;

@正点原子

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