使用的是阿波罗的的Nand fatfs文件系统,Nand芯片是 K9F4G的 512M的。
经过修改一点点;
主函数里面:
f_mount(Nand_Disc, &NAND_fatfs);
res = f_open(&NAND_file, "1:/qq.txt", FA_OPEN_EXISTING|FA_READ); //这边返回 FR_NO_FILESYSTEM
if(res == FR_NO_FILESYSTEM)
{
res = f_mkfs(Nand_Disc,1,4096); //返回 OK
if(res == FR_OK)
res = f_open(&NAND_file, "1:/qq.txt", FA_CREATE_ALWAYS | FA_READ); //这边又返回 FR_NO_FILESYSTEM
}
f_close(&NAND_file);
明明格式化成功了,为什么还是返回没有文件系统。我仿真进去看了一下,是因为每次f_mkfs格式化完成以后,去操作文件时,会再次进入RTL_Init()函数里面,
其中 temp=FTL_CreateLUT(1);这个函数,nand_dev.lut[i] 每次f_mkfs之前数据都是00 00 01 00 02 00 03 00 04 00 05 00.....都是正确的,f_mkfs格式化以后,
就会出现FF FF 01 00 02 00 03 00 04 00 05 00....,这样就会导致又重新低级格式化了。
请问为什么会出现这样的情况,希望各路大神给点建议,原子哥的RTL那部分代码我没有具体看。
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while(FTL_Init()); //检测NAND FLASH,并初始化FTL
backbuf=mymalloc(SRAMIN,NAND_ECC_SECTOR_SIZE); //申请一个扇区的缓存
buf=mymalloc(SRAMIN,NAND_ECC_SECTOR_SIZE); //申请一个扇区的缓存
// NAND_EraseBlock(0); //在这边加一个擦除块0,有很大的效果
for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++)
buf=i+t; //填充数据(随机的,根据t的值来确定)
NAND_WritePage(0,0x400,buf,512);
NAND_ReadPage(0,0x400,buf,512); //如果前面不加 擦除块0的函数,读出来就是不正确的,加了擦除块0,读出来的就是正确的。
key=FTL_WriteSectors(buf,2,NAND_ECC_SECTOR_SIZE,1);//写入扇区
key=FTL_ReadSectors(buf,2,NAND_ECC_SECTOR_SIZE,1);//读取扇区
在写之前加一个擦除块0 的函数,读写就是正确的(这个读写只能直接操作nand,不能通过FTL的函数)。可是在FTL_Init()里面,块0是已经被擦除了的,只是在spare区域写了逻辑块的数据,main区域是没有任何操作的。原子哥,这是什么情况,是硬件的问题吗? @正点原子
而且虽然读出来的数据是错误的,但是错误的数据时有规律性的。
这边两张截图,就是写的数据和读出来的数据。
u8 FTL_Format(void)
{
u8 temp;
u32 i,n,p;
u8* buf;
u32 goodblock=0;
nand_dev.good_blocknum=0;
#if FTL_USE_BAD_BLOCK_SEARCH==1 //使用擦-写-读的方式,检测坏块
nand_dev.good_blocknum=FTL_SearchBadBlock();//搜寻坏块.耗时很久
#else //直接使用NAND FLASH的出厂坏块标志(其他块,默认是好块)
for(i=0;i<nand_dev.block_totalnum;i++)
{
temp=FTL_CheckBadBlock(i); //检查一个块是否为坏块
if(temp==0) //好块
{
temp=NAND_EraseBlock(i);
if(temp) //擦除失败,认为坏块
{
printf("Bad block:%d ",i);
FTL_BadBlockMark(i); //标记是坏块
}else nand_dev.good_blocknum++; //好块数量加一
}
}
#endif
for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++)
buf=i; //填充数据(随机的,根据t的值来确定)
NAND_WritePage(0,0,buf,1); //格式化以后不能有这一步,不然下面的写逻辑块数据就会不正确。这个是我自己添加测试的,
printf("good_blocknum:%d ",nand_dev.good_blocknum);
if(nand_dev.good_blocknum<100) return 1; //如果好块的数量少于100,则NAND Flash报废
goodblock=(nand_dev.good_blocknum*93)/100; //%93的好块用于存储数据
n=0;
for(i=0;i<nand_dev.block_totalnum;i++) //在好块中标记上逻辑块信息
{
temp=FTL_CheckBadBlock(i); //检查一个块是否为坏块
if(temp==0) //好块
{
NAND_WriteSpare(i*nand_dev.block_pagenum,14,(u8*)&n,2);//写入逻辑块编号 这个写块0 的spare应该是 00 00 ,
NAND_ReadSpare(i*nand_dev.block_pagenum,12,(u8*)&p,4);// 如果前面写了 main区域任何数据,读出来的数据确是 00 FF。不写main区域直接读就是正确的 00 00
n++; //逻辑块编号加1
if(n==goodblock) break; //全部标记完了
}
}
if(FTL_CreateLUT(1))return 2; //重建LUT表失败
return 0;
不要做任何修改
就用我们例程测试。
库函数版本如果有问题,下载寄存器版本测试。 注意:一定不要做修改。
如果没做任何修改,还有问题,我再来看看是不是代码bug。
因为我这边测试,是不存在你说的问题的。写数据,百分百正确。
现在的做法是:擦除->写512byte->读512byte没问题.上面的步骤结束以后,我再去写spare的区域,再读spare的区域,就不正确。
直接擦除->写是spare的区域,再读spare的区域,就是正确的。
真的有这样的现象,而且写的512byte值0页的前512个地址,和后面的spare应该不想冲的。
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