我用的单片机是STM32F103RBT6,128K flash，我想实现掉电保存数据，flash一页1KB，我想分成30份，每份32字节数据，第一次就擦除该页数据，掉电直接写入32字节数据，以后只要断电，不再进行擦除flash整页的操作，就立马接着上次存数据的后面写入此时的32字节数据，直到写完30份，然后才进行一次擦除该页数据操作。 这样来说可行么？？？ 对了掉电检测使用PVD检测 电压值，初步设定为2.9v，只要掉电，就直接执行写寄存器操作。因为看网上都说写之前一定要进行擦除性操作。所以想确认下可行性
此帖出自
小平头技术问答
{var%20f='http://v.t.sina.com.cn/share/share.php?appkey=1515056452',u=z||d.location,p=['&url=',e(u),'&title=',e(t||d.title),'&source=',e(r),'&sourceUrl=',e(l),'&content=',c||'gb2312','&pic=',e(p||'')].join('');function%20a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=440,height=430,left=',(s.width-440)/2,',top=',(s.height-430)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent))setTimeout(a,0);else%20a();})(screen,document,encodeURIComponent,'','','https://www.xiaopingtou.cn/data/attach/logo/logo.png', '推荐 a19911103hsy 的问题《请教关于FLASH保存参数数据》','https://www.xiaopingtou.net/q-1221.html','页面编码gb2312|utf-8默认gb2312'));){kind=link}
2.1024/32=32，30份是什么意义
3.如果有bat把指针放到那里可以省去搜索的步子
4.用更多的flash有利于延长寿命，利用指针循环写。
上位机界面是有4跟 进度条形式的（取值0~255），调好1根进度条1次可能需要改变几十次数据，调好4根进度条也就要上百次，一天下来的话，可能就上千次烧写了，所以采取掉电保存。
没有啦， 有些参数必须是存在单片机里面， 有个专门的模式 需要调用参数来改变寄存器的值。改变的周期是ms级别，比如10ms改变一次，1次同时改变4个寄存器的值，一共改变5次。所以5次的值要存在单片机里面。我的掉电保存主要还是要存上面的值
一周热门 更多>