warship 发表于 2018-7-9 17:06
那可能是别名地址没有计算正确，
对照寄存器基址、偏移量和比特位，
编出一份别名地址宏定义的头文件后 ...

大部分时间是对的

不错。。。

正点原子 发表于 2018-7-11 02:16
不错。。。

多谢夸奖。
给个酷呗

从第1463行开始就是各个外设寄存器的比特定义了：
对于具独立意义的比特定义采取了32位字中其它无关比特为0，自身所在比特为1的方式，如：
#define  RCC_CSR_LSIRDY                      ((uint32_t)0x00000002)
说明RCC外设的CSR寄存器中的比特位是第1位，而这样的定义正说明了STM官方的工程师们在编制库函数时，
完全放弃了位段操作的思想精髓，而捡起了用“与”、“或”操作来清位/置位的传统的、效率较低的方法。
唯一我可以为他们找到的理由是：因为有许多同时多比特操作的场合，所以二者同时兼顾起来有困难。
不管他了，我们要想定义位别名，就可以借用这个名称定义，并加一个前缀b,用来表示位别名。
即#define  bRCC_CSR_LSIRDY     BIT_ADDR(RCC_BASE+n, 1)  
括号中的1为比特位号，表示该比特在寄存器CSR中的第1比特，
RCC_BASE就是RCC的基址，直接借用就可以了。
还缺少一个数字，就是n, 这个n是某个特定寄存器在其外设基址基础之上的偏移量，
我没有在文件中找到，但偏移量以及比特位都可以在参考手册上查到。

还有一个需要统一约定的问题，那就是有些同类的外设可能有多个，但它们的寄存器名称及位定义是一致的。
如多个GPIO、多个TIM、多个DMA通道、多个SPI等等，则需要在宏定义名称中增加我们习惯的数字或字母以示区分，
如bGPIOE_ODR_ODR0、bSPI1_SR_BSY、bTIM2_SMCR_ECE等，它们各自的区别是基址不同，如TIM2_BASE、TIM3_BASE等等。