STM32F03 用FLASH 模拟EEPROM 多次写数据,导致MCU挂了死掉,断电在上电可以起来,说明程序APP区域没有被修改或者出错

2019-07-20 23:41发布

本帖最后由 核子霹雳 于 2018-8-8 15:10 编辑

flash 总大小是64K  0x10000   

bootload 分配  0x08000000~0x080003000
虚拟EEPROM 分配  0x08003060 -0x08003500
APP 分配  0x08003500 -0x0800CB00


现在调用
void JTHAL_STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,  const u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
{
    u32  secpos;    //扇区地址
    u16 secoff;    //扇区内偏移地址(16位字计算)
    u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
    u16 i;
    u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
    u16 *pBuff = (u16 *)STMFLASH_BUF;
        

    if(WriteAddr < JTSTM32_FLASH_BASE || (WriteAddr >= (JTSTM32_FLASH_BASE + 1024 * STM32_FLASH_SIZE)))
        return; //非法地址

    FLASH_Unlock();                     //解锁
    offaddr = WriteAddr - JTSTM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
    secpos = offaddr / STM_SECTOR_SIZE;     //扇区地址
    secoff = (offaddr % STM_SECTOR_SIZE) / 2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2 - secoff; //扇区剩余空间大小
    if(NumToWrite <= secremain)
        secremain = NumToWrite; //不大于该扇区范围

    while(1)
    {
                    

        JTHAL_STMFLASH_Read(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE, pBuff, STM_SECTOR_SIZE / 2); //读出整个扇区的内容
        for(i = 0; i < secremain; i++) //校验数据
        {
            if(pBuff[secoff + i] != 0XFFFF)break; //需要擦除
        }
        if(i < secremain) //需要擦除
        {
            FLASH_ErasePage(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE); //擦除这个扇区
            for(i = 0; i < secremain; i++) //复制
            {


                pBuff[i + secoff] = pBuffer;
            }
               
            iHAL_STMFLASH_Write_NoCheck(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE, pBuff, STM_SECTOR_SIZE / 2); //写入整个扇区
        }
        else
                {

            iHAL_STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr, pBuffer, secremain); //写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
                }

        if(NumToWrite == secremain)
            break; //写入结束了
        else//写入未结束
        {
        sTestNum2++;
            secpos++;               //扇区地址增1
            secoff = 0;             //偏移位置为0
            pBuffer += secremain;   //指针偏移
           // WriteAddr += secremain; //写地址偏移
            WriteAddr += secremain*2; //写地址偏移
            NumToWrite -= secremain; //字节(16位)数递减
            if(NumToWrite > (STM_SECTOR_SIZE / 2))
                secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2; //下一个扇区还是写不完
            else
                secremain = NumToWrite; //下一个扇区可以写完了
        }
    };
    FLASH_Lock();//上锁
}


有没有大神遇到过,如何避免,或者有其他新方式。求大神们,原子哥指导下
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10条回答
ssssssssssss
1楼-- · 2019-07-21 02:17
感觉是哪里有while(1)卡住了
核子霹雳
2楼-- · 2019-07-21 03:19
ssssssssssss 发表于 2018-8-8 15:19
感觉是哪里有while(1)卡住了

刚才加了打印执行到  FLASH_ErasePage(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE)擦除扇区死了,  死在了擦除扇区。 有何方式避免扇区擦除导致MCU挂了?
ssssssssssss
3楼-- · 2019-07-21 04:36
核子霹雳 发表于 2018-8-8 15:22
刚才加了打印执行到  FLASH_ErasePage(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE)擦除扇区死了,   ...

secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE 看看这几个参数
核子霹雳
4楼-- · 2019-07-21 05:20
 精彩回答 2  元偷偷看……
核子霹雳
5楼-- · 2019-07-21 11:02
 精彩回答 2  元偷偷看……
核子霹雳
6楼-- · 2019-07-21 12:02
ssssssssssss 发表于 2018-8-8 15:23
secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE 看看这几个参数

不知道是什么问题造成的

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