本帖最后由 核子霹雳 于 2018-8-8 15:10 编辑
flash 总大小是64K 0x10000
bootload 分配 0x08000000~0x080003000
虚拟EEPROM 分配 0x08003060 -0x08003500
APP 分配 0x08003500 -0x0800CB00
现在调用
void JTHAL_STMFLASH_Write(u32 WriteAddr, const u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
{
u32 secpos; //扇区地址
u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
u16 i;
u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
u16 *pBuff = (u16 *)STMFLASH_BUF;
if(WriteAddr < JTSTM32_FLASH_BASE || (WriteAddr >= (JTSTM32_FLASH_BASE + 1024 * STM32_FLASH_SIZE)))
return; //非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr = WriteAddr - JTSTM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos = offaddr / STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址
secoff = (offaddr % STM_SECTOR_SIZE) / 2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2 - secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite <= secremain)
secremain = NumToWrite; //不大于该扇区范围
while(1)
{
JTHAL_STMFLASH_Read(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE, pBuff, STM_SECTOR_SIZE / 2); //读出整个扇区的内容
for(i = 0; i < secremain; i++) //校验数据
{
if(pBuff[secoff + i] != 0XFFFF)break; //需要擦除
}
if(i < secremain) //需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE); //擦除这个扇区
for(i = 0; i < secremain; i++) //复制
{
pBuff[i + secoff] = pBuffer;
}
iHAL_STMFLASH_Write_NoCheck(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE, pBuff, STM_SECTOR_SIZE / 2); //写入整个扇区
}
else
{
iHAL_STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr, pBuffer, secremain); //写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
}
if(NumToWrite == secremain)
break; //写入结束了
else//写入未结束
{
sTestNum2++;
secpos++; //扇区地址增1
secoff = 0; //偏移位置为0
pBuffer += secremain; //指针偏移
// WriteAddr += secremain; //写地址偏移
WriteAddr += secremain*2; //写地址偏移
NumToWrite -= secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite > (STM_SECTOR_SIZE / 2))
secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2; //下一个扇区还是写不完
else
secremain = NumToWrite; //下一个扇区可以写完了
}
};
FLASH_Lock();//上锁
}
有没有大神遇到过,如何避免,或者有其他新方式。求大神们,原子哥指导下
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刚才加了打印执行到 FLASH_ErasePage(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE)擦除扇区死了, 死在了擦除扇区。 有何方式避免扇区擦除导致MCU挂了?
secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE 看看这几个参数
不知道是什么问题造成的
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