我想请教一下NAND FLash随机读写问题，正点原子设计的FafFS+FTL对NAND Flash读写时是以扇区512字节为单位的，页面大小是4K，但是FTL层的底层驱动读写时没有采用随机读写，而是直接给出页内地址进行读写的。NAND Flash不是只能以页为单位进行读写吗？这样难道不需要随机读写吗？驱动层中只有对空闲区的ECC校验值的读写是采用随机读写的。
NAND Flash规定只能按页读写，那给出的五个周期中的页内地址有什么用，如果不用随机读写，这个是不是只能从页的最开头读写了，页地址也就没用了？但是我实验，不使用随机读写命令，通过改变页内地址，也是可以从任意位置读写数据的啊！