关于NAND Flash随机读写的问题

2019-07-21 00:53发布

我想请教一下NAND FLash随机读写问题,正点原子设计的FafFS+FTL对NAND Flash读写时是以扇区512字节为单位的,页面大小是4K,但是FTL层的底层驱动读写时没有采用随机读写,而是直接给出页内地址进行读写的。NAND Flash不是只能以页为单位进行读写吗?这样难道不需要随机读写吗?驱动层中只有对空闲区的ECC校验值的读写是采用随机读写的。
NAND Flash规定只能按页读写,那给出的五个周期中的页内地址有什么用,如果不用随机读写,这个是不是只能从页的最开头读写了,页地址也就没用了?但是我实验,不使用随机读写命令,通过改变页内地址,也是可以从任意位置读写数据的啊!

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12条回答
fskofcpu
1楼-- · 2019-07-21 22:25
本帖最后由 fskofcpu 于 2019-5-23 10:47 编辑
正点原子 发表于 2019-5-23 02:56
从你给的地址读,但是可以连续输出数据(地址自增)。你要读其他地址,重新给。
实在搞不明白,你自己写 ...

原子哥,我明白你说的随机读取的意思,我的意思是正点原子的FTL层的底层驱动这样随机读写时为什么没有用随机读写命令?
simms01
2楼-- · 2019-07-22 02:25
...page_r  page_w  这2个函数和 FTL 没有关系   这2个函数就是读写指定地址  而已.....................  随机读写 是FTL层的事  不是这2个最底层函数的事,FTL让读写那个地址就读写那个地址。
fskofcpu
3楼-- · 2019-07-22 06:07
simms01 发表于 2019-5-23 11:33
...page_r  page_w  这2个函数和 FTL 没有关系   这2个函数就是读写指定地址  而已.....................   ...

那这两个底层函数不是就与NAND Flash的随机读写有关吗?NAND Flash除了整页写和整页读的话对任意地址的读、写不应该用随机读写命令吗?
正点原子
4楼-- · 2019-07-22 11:33
 精彩回答 2  元偷偷看……
fskofcpu
5楼-- · 2019-07-22 14:26
本帖最后由 fskofcpu 于 2019-5-24 09:22 编辑
正点原子 发表于 2019-5-24 02:34
随机读命令是哪个?

随机读命令根据NAND Flash手册上的时序必须在读命令后使用
正点原子
6楼-- · 2019-07-22 16:18
 精彩回答 2  元偷偷看……

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