STM32

ISSI异步SRAM的两个片选信号的处理

2019-07-21 01:18发布

站内问答 / STM32/STM8
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问题描述：
STM32F407ZGT6外扩2M的SRAM---IS62WV102416DBLL-55TLI
两个CS信号的处理：
STM32F407ZGT6的FSMC_NE3通过10K电阻上拉到3.3V
FSMC_NE3对接CS1
FSMC_NE3作为反相芯片的输入端，反相器的输出端接到CS2

实际测试反向芯片的A和Y的信号波形基本正常，该反相芯片工作电压和反转速度都能满足要求。
现在的问题是SRAM芯片没能正常工作。

软件中开了一个测试数组在外部SRAM中
u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));
程序中对这个数组赋值
for(ts=0;ts<250000;ts++)
  testsram[ts]=ts;
仿真时发现赋值不对，SRAM得到的值是随机的。

请问这是什么问题，该怎么解决。

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6条回答
正点原子
1楼-- · 2019-07-21 02:04
 精彩回答 2  元偷偷看……
tuzihog
2楼-- · 2019-07-21 04:19
 精彩回答 2  元偷偷看……
正点原子
3楼-- · 2019-07-21 06:53
回复【3楼】tuzihog:
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分别接不同的CS,或者用地址线扩充CS.
tuzihog
4楼-- · 2019-07-21 08:08
 精彩回答 2  元偷偷看……
正点原子
5楼-- · 2019-07-21 11:51
回复【5楼】tuzihog:
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你可以参考下安富莱的原理图。
tuzihog
6楼-- · 2019-07-21 14:25
回复【6楼】正点原子:
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恩，好的。谢谢

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