手册和原子哥视频中扇区擦除的步骤如下：
1.检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，以确认当前未执行任何 Flash 操作
2. 在 FLASH_CR 寄存器中，将 SER 位置 1，并从主存储块的 12 个 (STM32F405xx/07xx 和 STM32F415xx/17xx) 或 24 个 (STM32F42xxx 和 STM32F43xxx) 扇区中选择要擦除的扇区 (SNB)
3. 将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1
4. 等待 BSY 位清零
但是例程中不管是擦除还是写都没有对BSY位进行判断，而是使用了FLASH_DataCacheCmd（）这么一个函数，实在是不懂，
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额，懂了，判断状态就是判断是否是BYS位，
还有个问题，原子哥，ACR上的LATENCY有什么作用不需要设置吗？
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还有两个问题一并问了吧，
1.寄存器版本擦错扇区操作时为何要先等待2S再判断状态，而不是先判断状态再决定是否等待呢？
2.擦除扇区时为何要选择编程宽度？
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1,没有2秒之说.
2,看STM32参考手册.
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