本文以STM32F746-DISCO为实例

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SDRAM主要参数

Column addressing：256 A[7:0]
Bank addressing：4 BA[1:0]
Row addressing：4K A[11:0]
Speed Grade：-6A/-6/-7
Clock Frequency(MHz)：167/167/143
tRCD-tRP-CL：3-3-3/3-3-3/3-3-3
tRCD(ns)：18/18/20
tRP(ns) ：18/18/20
CL(ns) ：18/18/21

寄存器值与SDRAM参数

FMC_SDCR

• CAS[1:0] <--> CL=CAS(READ)latency
• SDCLK[1:0] <--> SDRAM clock
• RPIPE[1:0] <--> 读延时与SDRAM无关
• NB <--> 2/4 Banks
• MWID[1:0] <--> 位宽(8/16/32)
• NR[1:0] <--> 行地址位宽
• NC[1:0] <--> 列地址位宽

FMC_SDTR

• TRCD[3:0] <--> tRCD
• TRP[3:0] <--> tRP
• TWR[3:0] <--> tWR(WRITE recovery time)
• TRC[3:0] <--> tRC/tRFC(ACTIVE-to-ACTIVE command period/AUTO REFRESH period)
• TRAS[3:0] <--> tRAS(ACTIVE-to-PRECHARGE command)
• TXSR[3:0] <--> tXSR(Exit SELF REFRESH-to-ACTIVE command)
• TMRD[3:0] <--> tMRD(LOAD MODE REGISTER command to ACTIVE or REFRESH command)

FMC_SDRTR

• COUNT[12:0] <--> COUNT = (SDRAM refresh period / Number of rows) - 20

SDRAM初始化时序

1. 上电且时钟开启后，除INHIBIT/NOP，100us内不应发送任何命令
2. 然后，执行至少1次INHIBIT/NOP命令
3. 执行PRECHARGE-ALL命令，等待tRP的时间，期间应执行NOP/DESELECT命令
4. 至少执行2次AUTO-REFRESH，中间等待tRFC时间，期间允许执行INHIBIT/NOP命令
5. 执行完LMR命令后，等待tMRD时间，期间允许执行NOP/DESELECT命令
6. 必要时，随后执行2次AUTO-REFRESH命令