板子上的1M字节(512K储存单元+16位宽，发开指南这么写的)
我的理解是
地址
0000000000000000000 (19个) 对应储存单元0 16位
0000000000000000001 (19个) 对应储存单元1 16位
.
.
.
问题
怎么进行字节控制？
教程的例子(库函数)
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)
{
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
pBuffer++;
}
}
假设WriteAddr=0
第一次往0000000000000000000 写一个字节
第二次往0000000000000000001 写一个字节
那岂不是 16位的空间 只放了一个字节？？
还有那个UB LB信号线控制高低字节在哪里体现,FSMC怎么知道什么时候UB/LB为0 什么时候为1
谢谢了
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就是UB,LB的作用，在这里体现了。
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假设我要写入16位的数据 UB LB都要为低电平 FSMC自动控制的吗？
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每次写入数据地址+1，你的理解是...0000000 ...0000001(19位 )共同组成1个储存单元，那么需要20条地址线 而 地址线为19条 只能访问512K个
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FSMC自动控制的。
19根就够了，是512*16.
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