遗憾的是，实际让非挥发性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承诺)的优化步骤，似乎总是还得再等三年之久。如今，荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technology；TU/e)的研究人员宣称发现一种可让MRAM克服速度快、密度与成本问题的全新制造方法，称为“自旋霍尔效应与交换偏置反转零磁场磁化”(field-free magnetization reversal by spin-Hall effect and exchange bias)，或简称“弯曲电流”(current bending)。

    “随着磁位的尺寸缩小，写入磁位所需的电流密度已经变得过高了，”以TU/e教授Henk Swagten为主导的研究人员表示，“藉由垂直连接磁化层与抗铁磁材料，可望打造出一种沿电流方向的平面交换偏置(EB)；我们证实了只需利用由此EB 导致的原生平面磁场，可实现一种自旋霍尔效应驱动的磁化反转。”简这之，就是所谓的“弯曲”电流，似乎就能解决非挥发性MRAM的速度、密度与成本问题。

     如果你十分熟悉MRAM，那么你应该知道他们在电子向上或向下自旋时储存0与1，而不是经由电流差扰穿隧阻障层来累积或耗散电荷，因而得以“自旋霍尔效应” 在本质上实现优化的节能效果。不过，这仍然需要以电子铁磁材料执行自旋编码，才能翻转磁位。因此，Swagten的研究团队使用微量的电流脉冲，翻转 每一磁位使其自旋——即“弯曲电流”，使其不仅更具能效，还能够像摩尔定律(Moore's Law)般地扩展。

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