本帖最后由 xyzjacky 于 2018-5-24 16:03 编辑

动次打次歌 发表于 2018-5-23 15:56
不用担心这个，如果可能会超过使用寿命那就多用几页轮询写，做过实验，超过寿命写不一定坏，但芯片会有概 ...

想请教一下，一般我们说的擦写一万次，到底是指的擦一万次，还是写一万次？
因为擦一页，这一页可以写很多次（如果写入的数据很少），所以擦和写的次数不是一定相等的。一般说的擦写是使用软盘时代留下名词，一个2G的SD卡，一次写入2G的数据，才是擦写一次。
我个人认为，通常讨论的MCU的flash的擦写次数，其实是擦次数，一万次即擦一万次。

以下为百度上一个网友所说：
这个擦写是从软盘时代遗留下来的一个名词。。擦写是对全部容量大小的一次写入操作。举个简单的例子,SD卡大小为2G,放入刚刚好2G大小的文件则SD卡擦写一次。擦写是一个写操作,读不影响这个数字。只是写入1M空间的话只有那1M大小的空间会被写入,其他部分没有写入操作。有的存储(SSD)的主控芯片会平均调节写入的位置,争取每一个空间的写入次数都差不多。手机虽然没有,但是也没多大关系。大部分的软件运行时候都是读操作,只有极少的用户数据的内容,比如聊天记录、游戏存档会进行写操作,而聊天记录这样的东西,是不会进行覆盖操作的,文件会填补起来慢慢变大。游戏存档有的会覆盖,但是这个也是受存储的主控芯片调节的。存大容量的东西确实会更快的消耗擦写次数,毕竟存储的I/O更快。大部分你的操作都是在内存中进行的。总的来说用户不必忧虑擦写次数。。有人尝试过365*24小时的疯狂擦写,就是装满了删除继续装,SD卡表示还是可以正常运行。

xyzjacky 发表于 2018-5-24 15:53
想请教一下，一般我们说的擦写一万次，到底是指的擦一万次，还是写一万次？
因为擦一页，这一页可以写很 ...

我的理解是写SD卡和Flash应该不能算一回事，SD卡U盘这类存储设备为了提高寿命，应该是有软件算法在里面的，而写Flash的话是直接写到物理地址的，写哪个地址哪个地址的寿命就减少一次，至于是不是整页的寿命都减少一次我觉得不需要过多的在乎，就暂且认为只是写入的地址寿命减少的话，我的建议如下
   对于不同的应用，如果写入的数据量很少，可以开辟一页的地址循环写入，只擦写一次，待写满后全部擦除再从头开始写，单页的写入次数就是1page/写入的字节大小，至于要开辟多大，根据需求决定
   如果写入数据很多比如1K，那就开辟多页，最少两页来循环写入，多少页也根据需求选择
   说一个我自己的应用，需求是需要存储256字节的数据而且要频繁修改，flash单页是512的，我开辟了15页来循环写，(因为我要频繁的擦写，5页的寿命全部写满可能也不够，保险起见就取了15页，反正空间够用)，每次上电先查找掉电前的page编号，选定为当前page，需要写入数据的时候先读取当前page到内存，该写后写入下一个page，写完第15页时指针到第一个page重写开始写，如此循环
   最后注意的问题，每个芯片的flash特性不同，我遇到的大多数都支持字节、双字节、四字节写，整页擦除、扇区擦除等，有些支持页写，这样就比较方便了使用我那样的方法，还有需要注意指针的对齐问题，不然会出错，如果还要什么问题可以随时问我

动次打次歌 发表于 2018-5-25 11:20
我的理解是写SD卡和Flash应该不能算一回事，SD卡U盘这类存储设备为了提高寿命，应该是有软件算法在里面的 ...

我了解你的意思了。

xyzjacky 发表于 2018-5-28 10:07
我了解你的意思了。

FLASH写之前，如果有数据，必须先擦除，所以你可以认为写的次数就是等于擦的次数