烧写Flash的时候时钟设置的问题

2019-07-24 16:12发布

在RAM调试的时候没问题。用的是DELAY_US调用  设置的是1000000us也就是一秒,在RAM里调试没问题。烧写到Flash里的时候  设置的是150MHZ系统时钟,4分频,然后调试的时候发现时间不对了,慢很多。这是什么情况,是因为分频设置的问题吗?
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14条回答
zhangmangui
1楼-- · 2019-07-24 17:48
这是肯定的    RAM和flash中执行的效率不一样  
建议你进行代码搬移吧   
也就是将flash的代码搬移到RAM中运行   提供效率
littler
2楼-- · 2019-07-24 20:00
烧写Flash的话,因为flash完成编程需要时间,可能比较慢

如果是程序在Flash中运行可能比较慢,开cache可能会好些
haolaishi
3楼-- · 2019-07-24 23:06
littler 发表于 2015-11-18 22:31
烧写Flash的话,因为flash完成编程需要时间,可能比较慢

如果是程序在Flash中运行可能比较慢,开cache可能 ...

学习了,原来是flash编程出现的问题,我以为是代码被优化了呢
haolaishi
4楼-- · 2019-07-24 23:22
zhangmangui 发表于 2015-11-18 21:57
这是肯定的    RAM和flash中执行的效率不一样  
建议你进行代码搬移吧   
也就是将flash的代码搬移到RAM中 ...

RAM和flash中执行的效率不一样  ,为什么呢?现在好多程序都是放在flash中启动的
zhangmangui
5楼-- · 2019-07-25 00:16
 精彩回答 2  元偷偷看……
随机
6楼-- · 2019-07-25 05:40
我也是遇到楼主同样的问题。不懂事不是下载方式错了。

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