烧写Flash的时候时钟设置的问题

2019-07-24 16:12发布

在RAM调试的时候没问题。用的是DELAY_US调用  设置的是1000000us也就是一秒,在RAM里调试没问题。烧写到Flash里的时候  设置的是150MHZ系统时钟,4分频,然后调试的时候发现时间不对了,慢很多。这是什么情况,是因为分频设置的问题吗?
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14条回答
598835484
1楼-- · 2019-07-25 06:40
zhangmangui 发表于 2015-11-19 21:33
这个肯定是速度绝对的啊      RAM中交换数据和flash中速度差距是很大的
存储代码肯定在flash中   但是芯 ...

是设定DSP内部自动搬迁吗?烧写到flash里面,以后他会搬迁到ram里进行执行?
zhangmangui
2楼-- · 2019-07-25 12:16
598835484 发表于 2015-11-20 10:46
是设定DSP内部自动搬迁吗?烧写到flash里面,以后他会搬迁到ram里进行执行? ...

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http://bbs.21ic.com/icview-952328-1-1.html
598835484
3楼-- · 2019-07-25 14:47
zhangmangui 发表于 2015-11-20 12:00
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http://bbs.21ic.com/icview-952328-1-1.html

谢谢版主
lwsn
4楼-- · 2019-07-25 17:50
 精彩回答 2  元偷偷看……
Thor9
5楼-- · 2019-07-25 18:19
flash的代码运行时,还是得搬移到RAM中的吧
comeon201208
6楼-- · 2019-07-25 18:41
这个首先要保证适中的稳定性工作的。

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