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如上图所示，CS是一个压敏元件，可以等效于一个可变容量的电容（8pf~100pf）+一个内阻。
CC是100pf电容。
我的MCU操作是：
1，充电。
2，电荷转移测量输出电压。
3，放电复位。
现在充电和放电都好说，直接IN1输出高低电平即可。
但是第二步电荷转移需要IN1实现高阻态。
经我用示波器观察电荷转移过程中的输出电压，发现高阻态的阻碍能力不足，电容放电很快。
官方的第二张图是用一个三态门。（这个如何选型我也是没有头绪）
有人告诉我用一个MOS管可以暂时充当三态门的作用。（然而具体怎么设计电路我也是没有经验）
所以现在我面临的问题如题。MCU的IO高电平的时候是3.3v输出。我把IO配置为高阻态的方法是设置为下拉输入（下拉13K）。
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用mos一般来说：上面pmos下面nmos 两都不导通即高阻(对源对地阻抗无穷大 不漏电流)。
用示波器观察时应该注意：示波器相当于1M//几十pF的电容，so不能简单的去连接，有漏电流，观测点需要+高阻抗buff 之后再观测
再看mcu 配高阻时，不应该有下拉电阻【高阻-对源对地阻抗无穷大 不漏电流】下拉13K 即漏约200 多uA电流（@ucs=3V）
如果mcu配置成浮空输入时依然有漏电流 可以加大R1电阻。但是充放电时间常数将变化
多谢指点，我消化一下，还有好多问题，电路基础不好，惭愧
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