一般注存储器存放代码，信息存储器可当做EEPROM存放数据。
楼主可以自己定义要存放的地址。

我们平时所说的FLASH用来当EEPROM用，实际上FLASH是不能完全替代EEPROM的，只是用软件来处理可以让外部看起来像是一个EEPROM的区域。
1. 之前由于FLASH的擦写次数不够多，早起的FLASH只能擦写1000次，所以经常要改写的数据就需要保存在EEPROM中。
2. 现在FLASH的擦写普遍可以达到1W-10W次，所以我们就有了这种可能，用FLASH来保存需要经常改写的数据。
3. 由于FLASH的特性，我们在对数据进行改写的时候，必须先对整页进行擦除然后在字节写，所以，当我们更改FLASH的数据时，一般是先把该页数据读到缓存里，更改指定位置数据，然后擦除该页的FLASH，在进行写操作。
4. 而EEPROM却不存在这个操作，它支持字节的擦除和写操作，所以可以对任意位置的数据改写。
5. 为了让FLASH更方便地使用，MSP430提供一个INFO FLASH的区域，改区域的一个页面大小较小(64、128字节),这样我们使用该区域模拟EEPROM的时候，需要的缓存就小，页写的时间也大大缩小。
6. 如果不使用INFO FLASH区域，改区域也可以用做代码区使用。

信息存储器可当做EEPROM存放数据。

修改Linker文件

由于FLASH的特性，我们在对数据进行改写的时候，必须先对整页进行擦除然后在字节写，所以，当我们更改FLASH的数据时，一般是先把该页数据读到缓存里，更改指定位置数据，然后擦除该页的FLASH，在进行写操作。