FRAM 较之闪存/EEPROM 具有哪些主要优势？
1) 速度。 FRAM 具有快速写入的特性。 写入到 FRAM 存储器单元的实际时间小于50ns，这超越了所有其他存储器的类似操作。 这大约比 EEPROM 快 1000 倍。 此外，与需要两步（写入命令和随后的读取/验证命令）才能写入数据的 EEPROM 不同，FRAM 的写入操作与读取操作发生在同一过程中。 只提供一个存储器访问命令，实现读取或写入功能。 因此，与 EEPROM 写入处理相关联的所有时间实际上在基于 FRAM 的智能 IC 中被有效地消除了。 2) 低功耗。 在低电压下写入 FRAM 单元，并且只需很低的电流即可更改数据。 对于 EEPROM，则需要高电压。 FRAM 使用非常低的电源电压----1.5V，而 EEPROM 则使用 10-14V 电源电压。 FRAM 的低电压意味着低功耗，同时能够在更快的处理速度下实现更多功能。 3) 数据可靠性。 由于只需要少量能量，因此操作FRAM所需的所有能量在数据写入开始时就被预先加载。 这就避免了“数据分裂” — 由于能源缺乏的关系导致部分数据在写入时被破坏。基于 EEPROM 的智能 IC 在写周期内被从射频 (RF) 磁场电源中移除时就会出现这种情况。 此外，FRAM 还具有 100 兆次的写入/读取数或更多 ---- 远远超过了 EEPROM 的写入数量。

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数据可靠性。 由于只需要少量能量，因此操作FRAM所需的所有能量在数据写入开始时就被预先加载。 这就避免了“数据分裂” — 由于能源缺乏的关系导致部分数据在写入时被破坏。