以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。

1． 概述

        MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来传输数据、地址、指令。5个命令脚（CLE、ALE、CE#、WE#）实现NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作: 控制硬件写保护（WP#）、监视芯片状态（R/B#），和发起上电自动读特征（PRE-仅3V芯片支持）。注意, PRE功能不支持宽温芯片。

        MT29F2G08内部有2048个可擦除的块，每个块分为64个可编程的页，每个页包含2112字节（2048个字节作为数据存储区，64个备用字节一般作为错误管理使用）。

每个2112个字节的页可以在300us内编程，每个块（64x2112=132K）可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动进行PROGRAM和ERASE操作。

        NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。读的时候，一页数据从内部存储阵列copy到数据寄存器，之后从数据寄存器按字节依次输出。写（编程）的时候，也是以页为基本单位的：起始地址装载到内部地址寄存器之后，数据被依次写入到内部数据寄存器，在页数据写入之后，阵列编程过程启动。

        为了增加编程的速度，芯片有一个CACHE寄存器。在CACHE编程模式，数据先写入到CACHE寄存器，然后再写入到数据寄存器，一旦数据copy进数据寄存器后，编程就开始。在数据寄存器被装载及编程开始之后，CACHE寄存器变为空，可以继续装载下一个数据，这样内部的编程和数据的装载并行进行，提高了编程速度。

        内部数据搬移命令（INTERNAL DATA MOVE）也使用内部CAHCE寄存器，通常搬移数据需要很长时间，通过使用内部CACHE寄存器和数据寄存器，数据的搬移速度大大增加，且不需要使用外部内存。

2． 功能框图

3． 管脚

名称
类型
描述
ALE
I
地址锁存使能。ALE为高时，在WE#下降沿，地址信息通过I/O[7：0]锁存片内的地址寄存器。如果传输的不是地址信息，ALE应该为低。
CE#
I
片选。一旦器件进入PROGRAM或ERASE操作，CE#可以变无效。
CLE
I
命令锁存使能。CLE为高时，在WE#上升沿，命令通过I/O[7:0]锁存到命令寄存器，当不传输命令时，CLE应该为低。
PRE
I
上电读使能。
RE#
I
读使能。
WE#
I
写使能。
WP#
I
写保护。当为低时候，所有的PROGRAM和ERASE都被禁止。
I/O[7:0]
I/O
数据输入/输出。传输命令、数据、地址。仅在读操作时，数据是输出。
R/B#, R/B2
O
准备好/忙。集电极开路输出。外部需要接上拉电阻，这个脚表示芯片正在进行PROGRAM或ERASE操作。在读操作期间，表示数据正从阵列中传输到串行数据寄存器中，一旦这些操作完成，R/B#回到High-Z状态。
Vcc
电源
电源
Vss
地
地

zhangmangui 发表于 2013-10-8 22:47
以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。1． 概述        MT29F2G08使用一个高度复用的8-b ...

谢谢，太感谢了哈，一对比，我发现，我看文档时漏看了好多信息

paraselene1 发表于 2013-10-9 09:38
谢谢，太感谢了哈，一对比，我发现，我看文档时漏看了好多信息

我也不知道是什么原因 给你在网上找的

paraselene1 发表于 2013-10-9 13:40
就它上面写，虽然是按页读，但是他不一定从页的第一个位置开始读，你可以规定要读的页的起始地址，从那里 ...

谢谢分享