AT24C256存储器写入问题!

2019-08-12 16:54发布

一直用模拟i2c,没有翻过车。页写之间判忙
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6条回答
Acuity
1楼-- · 2019-08-12 19:04
你是单字节写入还是页写入的?单字节写入的话每写一个加个延时看看!我之前就是单字节写入时也是部分写不进去,后来加了3ms延时就OK了!
niqingqing
2楼-- · 2019-08-12 21:14
一般建议每写一个字节加一个延时
釜底抽筋
3楼-- · 2019-08-12 23:19
EPROM擦写是需要时间的,delay个10ms试试
siberianfox
4楼-- · 2019-08-13 04:33
 精彩回答 2  元偷偷看……
zgzzlt
5楼-- · 2019-08-13 09:32
我使用AT24C256也出现了和你一样的问题,如果是单字节写入的话实测确实需要加入延时,最少为3ms。建议使用页写入。这算是美中不足的一点吧。
zgzzlt
6楼-- · 2019-08-13 11:39
DreamWaterPro 发表于 2017-10-25 11:29
我使用AT24C256也出现了和你一样的问题,如果是单字节写入的话实测确实需要加入延时,最少为3ms。建议使用 ...

这这是EEPROM的特性,写速率太慢了,连i2c这么慢的总线都响应不过来。有兼容EEPROM的FRAM,程序都不用改,写入很快,页写都无须延时。

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