看了原子哥flash模拟eeprom的例程和视频,有些疑问求解答
1、视频中提到一个半字的概念,半字是16位,字是32位,stm32芯片是半字半字读写,假设我只想在flash里写入一个数,那么这个数其实占了是16位还是32位?同时占了几个地址?
2、原子哥例程里的write函数,我看代码的意思明明是先检验flash中有没有,若有则复制到缓存中更新数据,擦除整页再写进去,那么假如我想写入一页数据,在不考虑寿命的情况下,我是不是可以连续调用例程中的write函数来达到写满一页的目的?
3、在例程中有三个参数,第一个是flash中的地址,第二个是个变量名,第三个在视频中说的是数据个数;
那假设下面这个写入函数的参数为 STMFLASH_Write(a,(u16*)b,c);的话,那这个调用的意思应该是将变量b的c个数据写入地址a中。这么理解对吗?
附上例程中写入模块的代码,求讲解。
[mw_shl_code=c,true]void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos; //扇区地址
u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
u16 i;
u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除
}
if(i<secremain)//需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0
pBuffer+=secremain; //指针偏移
WriteAddr+=secremain; //写地址偏移
NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}
};
FLASH_Lock();//上锁
}[/mw_shl_code]
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要写入的变量必须最少是16位.
例如 写一个变量是16位, 那么数据就是N个元素*16
对主闪存编程每次可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为’1’时,在一个闪存地址写入
一个半字将启动一次编程;写入任何非半字的数据, FPEC都会产生总线错误。在编程过程中
(BSY位为’1’),任何读写闪存的操作都会使CPU暂停,直到此次闪存编程结束
写FLASH 不能是8位 只能是16位 32位 64位
你在网上下载一个文档 PM0042 STM32F10xxx闪存编程 看看你就明白了
void STM32_Flash_Write(uint32_t addr,uint32_t* BufFrom, uint32_t Data)
{
uint32_t ERROR;
uint8_t i;
uint32_t ProgromAddr;
FLASH_EraseInitTypeDef MIRAN_Erase;
MIRAN_Erase.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES;
MIRAN_Erase.Banks=FLASH_BANK_1;
MIRAN_Erase.PageAddress=addr;
MIRAN_Erase.NbPages=1;
if(Data>256) //超过1K 字节
{
return;
}
HAL_FLASH_Unlock();
HAL_FLASHEx_Erase(&MIRAN_Erase, &ERROR); //按页擦除
for(i=0; i<Data; i++)
{
ProgromAddr=addr+i*4;
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, ProgromAddr, BufFrom);
}
HAL_FLASH_Lock();
}
我这个是32位写一次 , 多看手册
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