大家好：
最近研究一个项目，其中用到falsh的芯片，采用到的是华邦的W25Q64，程序是都已经成功了，然后开始调试低功耗的时候，在flash这边纠结，通过命令0xB9的命令让W25Q64进入power down模式，可是测试到的电流是1.33mA的大小，与手册上标注的1uA相差甚大，大家有没有遇到过这个问题？请大家帮忙出一下思路。
对了，电路相对简单，
CS/CLK/DI/DO用于SPI通讯，WP和HOLP线接VCC。
请问电路在低功耗下可以这样接吗？如果可以，程序上如何修正，让芯片进入测底的低功耗。
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谢谢答复。这个昨天我也在排除干扰，外部电路都是通用的接法。后来我看了些文档，又找了一些**商，他们说有些芯片进入待机下功耗还是会蛮大的，又怕买到的不是真货，所以我又买了相同芯片不行型号的flash回来，今天下午芯片到了试一下再来论坛。
嗯，你说的办法，我昨天尝试过了，拉高拉低，其实对我买了那款芯片来说，功耗影响不大，powerdown模式下仍然有1.3mA左右。与标书上写的1uA相差不是一点。今天下午会换个**商的芯片看一下，继续测试，目标5uA以内。
对falsh单独供电，不用时断电这种方法显然是不可取的。其实电流没有将下来的原因是没有找到合适的技术文档，对芯片功能描述内容不够详细。今天下午换了一个W25Q64JVSSIG型号的芯片，然后在电路上做一些修改，主要是cs片选上加10K电阻上拉，当flash进入powerdown模式时，flash的电流降到4uA，与技术文档上的描述贴近（正常1uA，最大25uA）。
总结：
1、正确的文档，才有正确的答案
2、硬件上CS加10K电阻上拉到VCC
3、软件上进入powerdown，唤醒时接的release powerdown
4、不同后缀型号的芯片，功能有所差异（W25Q64JVSSIG低功耗对比W25Q64BVSIG要好）
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