//寄存器清零
//bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR，所以总共八个寄存器。
//这里我们使用NE1 ，也就对应BTCR[0],[1]。     
FSMC_Bank1->BTCR[0]=0X00000000;
FSMC_Bank1->BTCR[1]=0X00000000;
FSMC_Bank1E->BWTR[0]=0X00000000;
//操作BCR寄存器 使用异步模式
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<12; //存储器写使能
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<14; //读写使用不同的时序
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<4;  //存储器数据宽度为16bit      
//操作BTR寄存器
//读时序控制寄存器      
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0<<28; //模式A        
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=1<<0;  //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 1/36M=27ns    
//因为液晶驱动IC的读数据的时候，速度不能太快，尤其对1289这个IC。
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0XF<<8;   //数据保存时间为16个HCLK    
//写时序控制寄存器  
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<28;  //模式A        
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<0; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 
  //4个HCLK（HCLK=72M）因为液晶驱动IC的写信号脉宽，最少也得50ns。72M/4=24M=55ns    
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=3<<8;  //数据保存时间为4个HCLK
//使能BANK1,区域4
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<0; //使能BANK1，区域1

回复【34楼】北溟鱼:
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兄弟，你的代码没错，请检查你的GPIO初始化序列是否正确，另外，你的FSMC_NORSRAMInit（）这函数有调用不？没调用的话，你只是给结构体赋值是没用的。

回复【39楼】Tardis:
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谢谢，已经做出来了哈~~~

回复【33楼】Tardis:
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ox400减1   这句没理解，为什么减1啊

回复【42楼】Tardis:
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我按实验做的用BANK1区域4做的，我如果想让A10输出高，不一定非要往0x6c000800写数据吧    我向0x6c001800写数据也行吧  只是A11也会变成输出高电平，是吗