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STM32
功率MOSFET的栅极电荷特性
2019-10-15 17:29
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在功率MOSFET的数据表的开关特性中,列出了栅极电荷的参数,包括以下几个参数,如下图所示。
Qg(10V):VGS=10V的总栅极电荷。
Qg(4.5V)):VGS=4.5V的总栅极电荷。
Qgd:栅极和漏极电荷
Qgs:栅极和源极电荷
栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中,栅极使用恒流源驱动,也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电,漏极电流ID由外部电路提供,VDS设定为最大额定值的50%。漏极电流从0增加到ID过程中,分别测量VGS、栅极充电时间,就可以计算得到栅极电荷值。
(a):简化的测试电路
(b):测试电路和波形
(c):实际的波形
图1:栅极电荷的测试电路和波形
栅极电荷测试的电路中,需要用到二个恒流源:G极驱动充电的恒流源和提供ID的恒流源,因此测试的电路有下面不同的形式。
(a):ID由分立元件构成恒流源
(b):ID由电感构成恒流源
图2:栅极电荷的测试电路形式
图2(a)中,对G极恒流驱动充电的恒流源IG由测量仪器内部自带的恒流源提供,而ID由分立元件构成恒流源,其工作原理非常简单:就是利用功率MOSFET的工作于线性区的放大特性,调节G极的电压就可以调节电流的大小。不同的器件,所选择的外部恒流源的元件参数会有异差。
图2(b)中,ID由电感构成恒流源,相对而言, 这种方式电路结构简单,只是电流的精度不如上一种方式。
根据电容的特性:
C·dv/dt = IG
可以得到:
Q = C·dV = IG·dT
在图1(b)中,对应着不同的VGS的电压,由波形或仪器读出相应的时间dT,IG已知,就可以分别算出不同的栅极电荷。
Qg(10V)
=
IG
·
T4
Qg(4.5V)
=
IG
·
T3
Qgd
=
IG
·
T2
Qgs
=
IG
·
T1
在实际的测试中,根据电容的大小,IG的值设定为不同的值:10uA、100uA、 1mA。测试条件改变的时候,如改变ID或VDS,实际测量的栅极电荷也会改变。
图3中的测量结果,测量条件:VDS=160V,VGS=10V,VGS:2V/div,时间t:1us/div,电流大,米勒平台也高,栅极电荷值也稍有差异。
改变VDS,对应的特性如下图所示,随着VDS的增加,栅极电荷的值会改变,特别是QGD,电压越高,QGD越大。
数据表中栅极电荷的特性,栅极使用恒流源来驱动,VGS电压随着时间线性增加;实际的应用中,通常栅极使用恒压源来驱动,VGS电压随着时间以指数关系增加。
测量时使用恒流源驱动的原因在于容易计算栅极的电荷值。本质上,使用恒流源或恒压源驱动栅极,对于栅极电荷的测量没有严格意义上的影响。
文章来源:微信公众号 融创芯城(一站式电子元器件、PCB、PCBA购买服务平台,项目众包平台,方案共享平台)
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