本帖最后由 最强芯 于 2016-12-23 14:36 编辑

第一，很多人，可能对GD接触不多，有的只是听说过，大部分可能只是听说过或者听都没听说过。严格来讲，GD的MCU的区别在于主频、M3内核版本、flash、管脚pin、内部设置稍有区别、代码执行效率稍有区别、静态功耗/工作功耗有区别。
        先简单说性能参数的区别，拿103系列来说，GD主频108MHZ，授权内核版本是R2P1，ST版本是R1P1，R2P1修复了部分bug。GD做flash的技术积累原因，其可以做到零等待，故其代码执行效率更高，管脚上可以直接pin ，替换工作，软件上时序部分要修改以匹配更快的频率。实话实说，说烦不烦，顺利的话还是挺快的。另外，实际使用的时候，设置等稍有区别，要注意看下手册。
        至于功耗，运行功耗GD的更低，待机ST的稍低，差别都不大。GD32F4新产品采用55nm工艺之后，功耗会下降到更低的水平。
        至于说性能、稳定性、质量的问题，仁者见仁智者见智，个人觉得，选择GD，无非是看中它的价格，还有一些集成的小东西，比如LED/LCD驱动/CAN2.0等。但是性能质量倒没有像一些人说得国产货中的那么烂，消费电子不会有什么问题，芯片本身是按车规级质量标准设计的。