STM32F411xE FLASH块模拟EEPROM 问题请教

2019-12-09 13:35发布

本帖最后由 huangyiting1990 于 2019-11-26 16:49 编辑

   我现在有个项目用到了 STM32F411 整个IC  , 因为有数据需要存储,想着用FLASH 来模拟一下。 但是发现这个FLASH结构用起来非常不爽
   如下图 , STM32F411CE 有非常大的 FLASH  512K , 但是我看到参考手册里面仅仅把整个FLASH 划成了8个块 , 如果我想把要存储的数据放在最后一个块(128K) , 那我擦除一下这个块,几乎就要花上将近1S 了 ,这就非常不爽了。  等上1S 的话  黄花菜都凉了....
   是不是我自己没搞懂,还是事实上就要这么操作?
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4条回答
20061002838
1楼-- · 2019-12-09 16:49
放前面几个块
tomzbj
2楼-- · 2019-12-09 19:40
f4肯定得把eeprom放前面, 第一个16k块放bootloader, 第二个16k放eeprom.

此外flash代eeprom肯定不能每次都擦吧, 得用伪地址+增量写入的算法, 写满再回收, 这样擦除次数就少多了.

不愿意折腾的话, 还是直接上外置的eeprom吧.
kevincoooool
3楼-- · 2019-12-09 21:47
F4要用内置FLASH存东西 都是第一段bootloader  第二段eeprom  第三段APP
huangyiting1990
4楼-- · 2019-12-10 03:45
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