本帖最后由 sunnydragon 于 2019-8-11 22:08 编辑
自年初发布了 EasyFlash 4.0 beta 版后 ，EasyFlash 迎来了全新的 NG （Next Generation） 模式。 新的模式相比以前有着众多的优势，比如
- 1、更小的资源占用，内存占用 几乎为 0 ；
- 2、ENV 的值类型支持 任意类型 、任意长度，相当于直接 memcpy 变量至 flash ；
- 3、ENV 操作效率比以前的模式高，充分利用剩余空闲区域，擦除次数及操作时间显著降低；
- 4、原生支持 磨损平衡、掉电保护功能 （V4.0 之前需要占用额外的 Flash 扇区）；
- 5、ENV 支持 增量升级 ，固件升级后 ENV 也支持升级；
在 beta 版本发布的这段时间里，收到很多开发者使用反馈，解决了一些使用过程中的问题，包括：性能，可靠性等等
最大的改进是增加了类似 LRU (Least Recently Used) 的 Cache 机制，大幅提升了 ENV 查找，写入及 GC 时的效率。
经过这段时间的集中测试，现在终于可以发布 V4.0 正式版了。
未来随着 IoT 场景的多样化要求， EasyFlash 还会做更多改进与提升，目前已知的规划会有：
- 1、支持数据加密，IoT 时代的安全性是重中之重；
- 2、增加数据压缩，让同样大小的 Flash 可以存储更多的内容；
- 3、支持大数据存储模式，长度无限制，数据可在多个 Flash 扇区上顺序存储；
- 4、增加 ENV 迭代器，检索 ENV 更加方便；
- 5、……
请评论投票下你所期待的新功能吧，排名靠前的功能将会优先支持……
V4.0 正式版下载：
最新代码及在线文档详见：https://github.com/armink/EasyFlash
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一：我刚用4.0正式版本，STM32F10X那个DEMO测试，MDK编译，优化级别为3时候，ef_get_env就返回0，然后进入 assert_failed 优化级别为0则不会
二：FLASH整片擦除，也算是新FLASH吧
三：附件是正式版中的DEMO,我把型号改为STM32F103RBT6了，PAGESIZE=1024，设置为优化级3，则ef_get_env就返回0，然后进入 assert_failed 优化级别为0则不会
我现在用得的感受，V4.0-BEAT感觉比V4.0正式版好用.
说来也奇怪，升级为4.0正式版后，我自己的工程，则要优化为3级才正常，优化为0级的时候，永远不会初始化参数,每次下载都整片擦除的，没升级前和优化级别没关系
你的意思是，同样是最新的 正式版 V4.0
自带的那个 f1 demo 开了 优化不好使，不开好使
你的项目里，开了优化才好使，不开就不好使
是这个逻辑吗？
是的。我退回到4.0-BEAT，则优化级3和0都正常,不正常的时候，我跟了下程序，执行到ef_load_env()中，check_failed_count 不等于SECTOR_NUM ，所以初始化不了参数
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