学习了 ，不要在一个地方写想法很好。

这个肯定要考虑的，当时我设计的一个方法是  根据产品要求的时间，更换地址  累计计算  保证不坏  过了保质期就没有去考虑  因为成本敏感   针对不同的设计需求  方法是不一样的  只要满足需求就可以了

百果 发表于 2016-8-23 20:19
我估计那不是读写给搞坏的，而是因为PCB设计不合理让它损寿了。

人家设计这东西是要做强度测试的，不像我们产品大致算算ok就行了。他们是真金白银在搞的，出不得一点纰漏。一旦强度测试出现问题方案就必须改。
你想FM的东西布线有多少复杂程度会影响寿命呀。
以前一致认为读是没事的。后来才知道铁电读写都减少寿命的，和普通eeprom还不一样。
反正我得到信息就是最后用RAM+后备电池作主要操作的。不过这个事也过去快10年了。估计那时候芯片寿命比现在小也有可能。

整个均衡读写的算法

wy2000 发表于 2016-8-23 20:52
人家设计这东西是要做强度测试的，不像我们产品大致算算ok就行了。他们是真金白银在搞的，出不得一点纰漏 ...

Features
■ 256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM)
logically organized as 32 K × 8
❐ High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
❐ 151-year data retention (See the Data Retention and
Endurance table)
❐ NoDelay™ writes
❐ Advanced high-reliability ferroelectric process

你不说我还没有特别注意，这确实是读写10^14次方。算一算。
100,000,000,000,000，一年一换，那么平均：
   1天要读写273972602740次，
1小时要读写11415525114次，
1分钟要读写190258751次，
1秒钟要读写3170979次，

难以想象这样的芯片会被读写坏。