用EEPROM频繁写数据就不怕写坏吗?

2019-12-09 20:05发布

EEPROM是10w次左右,大家在做项目的时候没有考虑这个问题吗?
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52条回答
weshare
1楼-- · 2019-12-13 14:02
kaomantou 发表于 2016-8-23 21:06
整个均衡读写的算法

大哥给介绍一个?
kaomantou
2楼-- · 2019-12-13 19:23
 精彩回答 2  元偷偷看……
wy2000
3楼-- · 2019-12-13 21:42
百果 发表于 2016-8-23 21:13
Features
■ 256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM)
logically organized as 32 K × 8

按你这样计算,厂家怎样算出是这么一个数值的? 照这样算100年也测数不来的呀。
wswh2o
4楼-- · 2019-12-14 02:21
这个问题很严重,必须考虑的
redroof
5楼-- · 2019-12-14 06:11
wy2000 发表于 2016-8-23 21:43
按你这样计算,厂家怎样算出是这么一个数值的? 照这样算100年也测数不来的呀。  ...

用fpga做个硬逻辑,按它允许的最高总线速度不停的写,不就行了。
单片机不好做到每个总线周期都写一次,但fpga很容易。
wy2000
6楼-- · 2019-12-14 08:39
百果 发表于 2016-8-23 21:13
Features
■ 256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM)
logically organized as 32 K × 8

查了一下以前备份的资料   2004年的时候  FRAM理论寿命是 100亿次   也就是 10^10,    而当时24C64理论寿命是 10万次       93C46是100万次。
加上我估计当时铁电属于新型器件,工艺不是很成熟,这样大家应该可以理解当时为何铁电也会写坏的缘故了。   因为当时告知铁电被写坏我也很吃惊的,所以这事记忆特别清楚。

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