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本帖最后由 Claude 于 2015-1-25 20:36 编辑
方式：PWM全桥驱动
主控：STM32F103R8T6
驱动：A316J 44H11 45H11推挽驱动
电源：UC3844 K2225 EI33铁氧
保护：IGBT模块保护 母线电压 输出电流 缺相保护 NTC温度保护 外部报警信号
接口：2路DI输入 一路启动 一路报警清除 1路风扇控制 1路接触器控制 2路0-10V 4-20MA输入 1路485 Modbus RTU
PIC_20150120_210232_740.jpg (1.36 MB, 下载次数: 0)
下载附件
2015-1-25 20:19 上传
http://v.youku.com/v_show/id_XODc5MjkxOTY4.html
成功的代价是家里的断路器DZ-267 16A烧了1个 25A的IGBT烧了10几个 75A的IGBT模块烧了2块 板子改了2次(还要改一次次能通过) 电脑的显示器因为干扰炸了电源(换了整流桥和驱动部分修好了) 驱动的A316J 10几个（只要IGBT炸必换）
整个单元的闸跳是正常的(反正我们单元的人习惯了)
方式：PWM全桥驱动
主控：STM32F103R8T6
驱动：A316J 44H11 45H11推挽驱动
电源：UC3844 K2225 EI33铁氧
保护：IGBT模块保护 母线电压 输出电流 缺相保护 NTC温度保护 外部报警信号
接口：2路DI输入 一路启动 一路报警清除 1路风扇控制 1路接触器控制 2路0-10V 4-20MA输入 1路485 Modbus RTU
PIC_20150120_210232_740.jpg (1.36 MB, 下载次数: 0)
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2015-1-25 20:19 上传
http://v.youku.com/v_show/id_XODc5MjkxOTY4.html
成功的代价是家里的断路器DZ-267 16A烧了1个 25A的IGBT烧了10几个 75A的IGBT模块烧了2块 板子改了2次(还要改一次次能通过) 电脑的显示器因为干扰炸了电源(换了整流桥和驱动部分修好了) 驱动的A316J 10几个（只要IGBT炸必换）
整个单元的闸跳是正常的(反正我们单元的人习惯了)
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中频母线用“薄膜电容”（名字是不是叫这个我不确定），高频特性好
我的理解里电解用于支撑电容，CDE用于开关的尖峰吸收
我没有从事过中频的开发，只做过逆变器和变频器。一般是整流后电解做支撑，白 {MOD}的电容一般用CDE电容，直接安装在IGBT的CE端，起到吸收作用。
刚刚仔细看了lz的图，两个电解应该是串联的，应该是用于支撑，IGBT模块上已经装了白 {MOD}的吸收电容了
变频器需要母线稳定，并且载波不高，中频正好相反，
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