LZ要是有时间的话，希望能对比一下内部Flash情况下下面两段代码的速度（一定要完全优化）：
原版596行：
  for(index = 0; index < size; index++)
  {
    LCD_WriteRAM(*(__IO uint16_t *)BmpAddress);
    BmpAddress += 2;
  }
改为(大概就是这么个意思)：
  uint32_t * p = (uint32_t *)BmpAddress;
  uint32_t * pEnd = p + size / 2;
  for(; p < pEnd; p++)
  {
    uint32_t d = *p;
    LCD_WriteRAM(d);
    LCD_WriteRAM(d >> 16);
  }

我猜测Flash的读取通道可能是32位的，而访问Falsh有延迟，并且会同取指冲突，所以一次读入32位数据再进行位运算可能反倒会快一些。在我这里，MDK4.2，480*320的屏，内部NorFlash延迟2周期的情况下，修改后的代码速度确实明显快了一点。(个人感觉不太像是单纯的循环展开的原因。)
LZ有时间的话，希望能在你的硬件上也试验一下有没有类似的现象。

mark

刚刚看到被的帖子在讨论这个问题，，，是LZ的1/3速度啊

good 有时间我也测一下

mark