NAND FLASH MXIC MX30LF1G18 的擦写寿命到底是多少?

2019-12-22 13:43发布

现在产品上使用旺宏的MX30LF1G18,经过长时间老化发现FLASH容易坏,后来就改成每三分钟一个循环的擦写,结果擦写次数不超过120次,这与规格书写的内容完全不符呀。
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8条回答
mcu5i51
1楼-- · 2019-12-22 16:43
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AppleFarm
2楼-- · 2019-12-22 20:58
mcu5i51 发表于 2017-10-14 10:10
写入多的条件用EEP比较好,再多只能用铁电的了

真正使用的话,写入次数不超过10次,只是常规带电老化发现FLASH容易坏,然后才做擦写次数实验。
测试结果发现并不是规格书写的那么回事。
StoneSun
3楼-- · 2019-12-23 01:58
flash质量再差,也不至于只有几百次的擦写寿命,你换几个不同批次的芯片试试。另外,再确定下时钟频率和波形是否有异常。
AppleFarm
4楼-- · 2019-12-23 02:27
StoneSun 发表于 2017-10-14 11:14
flash质量再差,也不至于只有几百次的擦写寿命,你换几个不同批次的芯片试试。另外,再确定下时钟频率和波 ...

你说的有道理,因为同时找了个三星K9F4G08的芯片一起测试,三星的一直好好的。

现在就是想分析一下他们的时序,但不好测试。
darkness27
5楼-- · 2019-12-23 06:19
AppleFarm 发表于 2017-10-14 10:16
真正使用的话,写入次数不超过10次,只是常规带电老化发现FLASH容易坏,然后才做擦写次数实验。
测试结果 ...

你讲的老化是只在高温下吗?还是有其他条件呢?
谢谢。
elecfun
6楼-- · 2019-12-23 09:08
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