2019-12-26 18:53发布
kation122 发表于 2012-9-8 13:21 003只确保flash擦写100次,建议用103f3来做开发。要不然出现莫名其妙的问题,不好排除。 ...
hellosky 发表于 2012-9-11 08:21 Data memory: 128 bytes of true data EEPROM; endurance up to 100 000 write/erase cycles
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来自: amoBBS 阿莫电子论坛 iPhone客户端
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I find that hard to believe. Are you sure that it is NOT 100k?
It is likely a typo.
Data memory: 128 bytes of true data EEPROM;
endurance up to 100 000 write/erase cycles
真的?!手册上写着可以擦写10万次。
你那是E2PROM。请看这个关键的(003):
Program memory: 8 Kbytes Flash; data retention
20 years at 55 °C after 100 cycles
我英文不好,不太理解这句的意思。不过跟903的是有差别的:
Program memory: 8 Kbytes Flash; data retention
20 years at 55 °C after 10 kcycles
当然,我相信实际的耐擦写周期应该是远远大于数据的。
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