SST25VF016和W25Q16该选择哪款串行Flash?

2019-12-27 18:55发布

产品中准备用一款SPI Flash,评估板上用的都是AT45DB161,好像供货不好,
准备在这两款中选择一款?哪款更好一些在?谢谢
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24条回答
mcu_mouse
1楼-- · 2019-12-27 20:58
我现在用的一款MX25L1606E。
fisherheart
2楼-- · 2019-12-27 22:08
 精彩回答 2  元偷偷看……
mcu_mouse
3楼-- · 2019-12-27 23:10
跟你说的那两种好像引脚兼容,指令不兼容。现在用的这个不如45DB161的好用,当然只是写驱动的时候没那个方便。只有块擦除,整片擦除。其它还好。还有使用的时候得把它的WP用起来为好。因为有些片子有部分在上电的时候如果去读数据会有改变。就是说我的产品里面,它有个地址,但是这个地址在每次上电的时候会去读取,但就是在这个时候它就变成FF了。所以要将WP使用起来才好。
fisherheart
4楼-- · 2019-12-28 02:18
我的应用是频繁的读写Flash,不知道哪款更适合?
gzhuli
5楼-- · 2019-12-28 06:36
擦写速度能和45DB相比的只有SST,W25Q16擦写很慢……


SST25VF016B (原文件名:1.jpg)


W25Q16 (原文件名:2.jpg)
xgyfn
6楼-- · 2019-12-28 09:02
刚好前两天对三个品牌的SPI Flash的操作方式进行了一点比较,可以看出SST的写入方式(可单字节写)比较适合内存小的MCU,而另外两种按页写的可能需要系统能提供256字节的内存做写入缓冲

SST25VF020/040

写入方式:字节写 连续地址写(只給初始地址,但每个字节中间须等待芯片内部写操作完成)

擦除方式:扇区擦除(4KB) 块擦除(32KB) 整片擦除


SST25VF016B

同SST25VF020/040,块擦除大小除了可以32KB,增加了64KB


华邦W25X16BV、W25Q16BV

写入方式:页写(256B)

擦除方式:扇区擦除(4KB) 块擦除(32KB、64KB)整片擦除


GD25Q80

写入方式:页写(256B)

擦除方式:扇区擦除(4KB) 块擦除(32KB、64KB、128KB)整片擦除

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