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STM32
存放在stm32内部flash的数据会有一页数据丢失的现象
2019-12-27 19:02
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STM32/STM8
13436
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flash的最后一页用来存储参数,设备重复进行上下电操作,存放在stm32内部flash的数据会有一页较低的概率出现数据丢失的现象,整页的数据变成0xFF,在上电经过延时后会读取保存的参数。
这会不会是电源因素导致的?
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40条回答
huarana
1楼-- · 2019-12-27 19:32
有可能,电源不稳的情况下操作内部flash和eep就有自宫的可能。
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hyghyg1234
2楼-- · 2019-12-28 00:52
精彩回答 2 元偷偷看……
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NIC
3楼-- · 2019-12-28 03:03
hyghyg1234 发表于 2017-5-17 22:34
代码发出来,不然没法判断。
代码很简单,这个测试过程中跟flash有关的就是在上电几秒后就调用了下面这个读函数
void StmFlash_Read(unsigned int ReadAddr,unsigned short int *pBuffer,unsigned short int NumToRead)
{
unsigned short int i;
for(i=0; i<NumToRead; i++)
{
pBuffer
= StmFlash_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取 2 个字节.
ReadAddr+=2;//偏移2个字节.
}
}
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68336016
4楼-- · 2019-12-28 07:56
本帖最后由 68336016 于 2017-5-17 22:54 编辑
STM32的POR,PDR,PVD这些上下电有关的,可以看看是否有作用。
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xivisi
5楼-- · 2019-12-28 11:40
程序中 是否有擦除FLASH的? 很有可能断电时,代码飞到那里
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成就与价值
6楼-- · 2019-12-28 16:35
LZ 有测试过Flash的时序吗?会不会有指令误识别的情况?
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代码很简单,这个测试过程中跟flash有关的就是在上电几秒后就调用了下面这个读函数
void StmFlash_Read(unsigned int ReadAddr,unsigned short int *pBuffer,unsigned short int NumToRead)
{
unsigned short int i;
for(i=0; i<NumToRead; i++)
{
pBuffer = StmFlash_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取 2 个字节.
ReadAddr+=2;//偏移2个字节.
}
}
STM32的POR,PDR,PVD这些上下电有关的,可以看看是否有作用。
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