哎呀，如果我要把图一的GS电阻降下来，是不是三极管E级和GND之间再加一个电阻就OK了？

本帖最后由 金 {MOD}大元宝 于 2017-5-13 16:06 编辑

粗人 发表于 2017-5-13 15:55
为啥非得用pwm？
图一q2后边跟一级图腾柱会有改善
图二不适合单片机的电平驱动，速度也不快 ...

光耦.png (12.52 KB, 下载次数: 0)

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2017-5-13 16:03 上传

是的。图二是通过光耦驱动的

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因为GS电阻120R有些偏大，所以MOS损耗比较大，想降低MOS和续流二极管的温度，是不是在E极接个限流电阻，然后GS电阻改成10R会不会好一些？

因为RELAY_EN是通过74HC244出来的，还需要图腾柱吗？

GS电阻是R11吧？减小R11可以加快MOS关断速度
你告诉我为什么驱动电磁阀或者电磁铁要用PWM，让我也涨涨知识
74HC244供电最多6V吧？只能用来驱动光耦。要让NMOS更高效，VGS得12V以上
干脆用TLP250吧，隔离和驱动都有了，省事儿。

粗人 发表于 2017-5-13 16:31
GS电阻是R11吧？减小R11可以加快MOS关断速度
你告诉我为什么驱动电磁阀或者电磁铁要用PWM，让我也涨涨知识
...

都什么年代了，你当现在的mos还跟20年前一样渣吗？jlc上大把的mos，除了最便宜的几种，别家都能基本做到5v是2.5v的一半，10v又是5v的一半，而2.5v不到500m欧以内。像现在的大电流管子，2.5v vgs就能做到6m欧内阻，10v下更是只有2m欧以内。

粗人 发表于 2017-5-13 16:31
GS电阻是R11吧？减小R11可以加快MOS关断速度
你告诉我为什么驱动电磁阀或者电磁铁要用PWM，让我也涨涨知识
...

说错了。是G级电阻。G级电阻越小，MOS的波形越陡，开关期间的损耗越小。是这样吧？

PWM需要控制电磁铁电流啊， 吸合瞬间100%电流，然后降到维持电流，通过更改占空比实现。

电磁阀是不需要PWM的，IO翻转就可以了。