金 {MOD}大元宝 发表于 2017-5-13 16:57
VGS就是12V啊，mos内阻最低了。

REALY_EN是5V的PWM波，然后利用三极管来控制VGS通断的。 VGS是12V，G级 ...

E极串电阻关断不了MOS，有好多专用的驱动光耦，好像TLP151是

本帖最后由 金 {MOD}大元宝 于 2017-5-13 19:09 编辑

motion 发表于 2017-5-13 18:57
E极串电阻关断不了MOS，有好多专用的驱动光耦，好像TLP151是

好的。多谢了。我这里暂时没有隔离的必要，主要是把MOS的发热降下来就行。

wy2000 发表于 2017-5-13 18:30
建议改用专门的MOS驱动芯片。我用4425驱动75N75  最窄脉冲19us   性能很稳定。

4425全称是什么？

本帖最后由 金 {MOD}大元宝 于 2017-5-13 19:23 编辑

lixin91985 发表于 2017-5-13 18:26
这个电路，应该是刚从学校毕业的家伙设计的。

这个应该也是经典电路吧？

这个电路公司里一直在应用的，驱动小功率电磁铁没问题的，  只是驱动大功率的话，MOS管烫了一些。
只是偶然发现了第二种驱动电路，自己分析不出来优劣。

mos驱动.png (538.84 KB, 下载次数: 0)

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2017-5-13 19:17 上传

MOS管的驱动电流非常的小，知识瞬间驱动电流要求大，所以如果要快速驱动，需要用推挽的驱动电路，一般可以用逻辑门电路，例如74HC08 。也可以用三极管搭，

一般5V的MCU 直接IO驱动就行。10A的电流都没什么问题。

你这个电路，三极管本事的开关速度就慢，