fengyunyu 发表于 2014-4-7 17:53
测芯片过热，如何测？如果是超过多少度报警的话，这不又回到准不准的问题上了？ ...

用途不一样，需要的精度就不一样。测室温你可能觉得误差1度之内才算准，测120度芯片过热，误差10度也不是问题。

芯片内部有校准数据，虽然每片都不同，但是校准后还是比较准的吧？

本帖最后由 SCREA 于 2017-2-24 11:51 编辑

fengyunyu 发表于 2014-4-7 12:37
f4有这个精度么？那不错了。

看看VDD电压，是以3V为标准的。  温度传感器是NTC（or PTC）， 是参照电压给的 NTC，  通过采集到NTC电压，在根据130摄氏度30摄氏度的内置出厂校准值，换算成 当前温度。   

这所有的一切，是VDD==3V算的。    当VDD不是3V的时候，这个公式不成立--------------------------在3V时，她的温度曲线是 线性的： y= kx + b。  k=（130 - 30）/(t130 -  t30).      b则根据出厂校验值算出。



===以下是卡住我的地方===
当不是3V的时候（低功耗去掉LDO直接接电池），根据 线性特征，他们的k 应该还是一样，唯一不一样的是b。     此时就得自己做高低温，算出某个电压下的温度，得出b。

  但电池会随着时间电压会下降的，尼玛，这怎么算，电压不同，b会变。   则 温度 结果 由电压和当前温度  俩个变量决定-----------------其中，b得根据不同电压下实际测出不同温度下的值，尼玛，
尼玛，多少个离散电压，多少个离散温度。 1摄氏度测一个，0.1V测一个。-40~~80，3.65~2.35.    得测120 * 13 = 1560个值，作死啊，不值，不干。

外部接个NTC算了，kk出货也划得来

由芯片内部温度换算环境温度，本就不恰当，需要考虑的因素太多。