可控硅的T1/T2间加RC应该有改善。

shian0551 发表于 2019-7-5 16:52
可控硅要并RC,单独测试下3083是否有触发。记得还有一个过零触发的牛光耦。

现在可控硅并的是压敏，RC也试过没效果，下次我去实验室用示波器看下光耦有没有被触发，你说的那个牛逼的光耦能帮忙找找吗？我们现在都换了好几个光耦了，东芝的TLP3083也测试过了不行

加EMI 磁环，共模

可控硅在高的dv/dt下会导通，所以一般均需要在T1-T2端加RC吸收网络，如47R-10nF，这个参数可以参考别人的设计，一般正常电工是不会省掉这个RC网络的。